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徐秋霞

【姓名】	徐秋霞
【职称】	研究员;教授;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;仪器仪表工业;
【研究方向】	新一代集成电路器件与工艺技术基础研究
【发表文献关键词】	栅介质,自对准,硅化物,双栅MOSFET,NiSi,叠层,CMOS器件,寿命预测,压应力,TiSi,隧穿,漏电流,纳米器件,超深,方块电阻,亚微米,金属栅,超深亚微米,浅结,恒流应力,氮氧化硅,鱼脊形...
【工作单位】	中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】	中国科学院微电子研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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中国期刊全文数据库 共找到45篇

[1]许高博;徐秋霞;殷华湘;周华杰;杨涛;牛洁斌;贺晓彬;孟令款;余嘉晗;李俊峰;闫江;赵超;陈大鹏;.Characterization of HfSiAlON/MoAlN PMOSFETs Fabricated by Using a Novel Gate-Last Process[J]Chinese Physics Letters.2013,(08)

[2]陶桂龙;许高博;殷华湘;徐秋霞;.隧穿场效应晶体管的研究进展[J]微纳电子技术.2018,(10)

[3]李永亮;徐秋霞;王文武;.Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration[J]Chinese Physics B.2018,(09)

[4]陶桂龙;许高博;徐秋霞;.硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件[J]半导体技术.2017,(06)

[5]许高博;徐秋霞;殷华湘;周华杰;杨涛;牛洁斌;余嘉晗;李俊峰;赵超;.A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process[J]Chinese Physics B.2013,(11)

[7]孟令款;殷华湘;徐秋霞;陈大鹏;叶甜春;.金属栅回刻平坦化技术[J]真空科学与技术学报.2012,(09)

[8]许高博;徐秋霞;.Thermal stability of HfTaON films prepared by physical vapor deposition[J]半导体学报.2009,(02)

[10]尚海平;徐秋霞;.Two-step Ni silicide process and influence of protective N_2 gas[J]半导体学报.2009,(09)

承担国家科研项目 共找到4个

[1]徐秋霞;.高k栅介质/双金属栅器件研究及制备[A].中国科学院微电子研究所;.项目经费 36万元.2007-03-31.资助文献数 2 篇

[2]徐秋霞;.亚50纳米金属栅体硅多栅CMOS器件及关键技术研究[A].中国科学院微电子研究所;.项目经费 26万元.2005-03-31.资助文献数 2 篇

[3]徐秋霞;.纳米级自对准双栅CMOS器件的结构和工艺研究[A].中国科学院微电子研究所;.项目经费 30万元.2002-03-31.资助文献数 2 篇

[4]徐秋霞;.亚50纳米凹槽自对准双栅MOS器件研究[A].中国科学院微电子研究所;.项目经费 20万元.2001-03-31.资助文献数 2 篇