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亚50纳米凹槽自对准双栅MOS器件研究
亚50纳米凹槽自对准双栅MOS器件研究
【项目名称】 亚50纳米凹槽自对准双栅MOS器件研究
【项目编号】 60176010
【项目目标】
【项目关键词】 正性抗蚀剂 双栅 自对准 MOS器件 凹槽 凹槽图形 曝光 电子束直写 图形 FinFET 延迟效应 电子束曝光 抗蚀剂 纳米 体硅CMOS 负性抗蚀剂 精缩 曝光系统 深亚微米MOS器件 精细图 电子束曝光机 反应离子腐蚀 图形制作 尺寸缩减 印制技术 显影时间 深紫外光 电子束曝光系统 设计
【项目承办单位】 中国科学院微电子研究所;
【项目负责人】 徐秋霞;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 无线电电子学
【科研经费】 20万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2001-01-16
    【申请截止时间】 2001-03-31
    【立项时间】 2002-01
    【完成时间】 2004-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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