J.Wang
【姓名】 J.Wang
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 类DX中心,宽禁带-族半导体,高电子迁移率超高速微结构功能材料,深中心,DX中心,分子束外延生长,Ⅱ-Ⅵ半导体,光、电特性,分子束外延,快速热处理,自组织量子点,电子发射,Al掺杂,量子阱,高电子迁移...
【工作单位】 香港科技大学
【曾工作单位】 香港科技大学;
【所在地域】 九龙
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[2]卢励吾,王占国,C.L.Yang,J.Wang,Z.H.Ma,I.K.Sou,Weikun Ge.分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究[J]物理学报.2002,(02)
[3]卢励吾,张砚华,徐遵图,徐仲英,王占国,J.Wang,WeikunGe.快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响[J]物理学报.2002,(02)
[4]卢励吾,张砚华,J.Wang,WeikunGe.分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别[J]物理学报.2002,(02)
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[1]卢励吾;张砚华;徐遵图;徐仲英;王占国;J.Wang;WeikunGe;.RTA对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
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