WeikunGe
【姓名】 WeikunGe
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 DX中心,高电子迁移率超高速微结构功能材料,深中心,快速热处理,电子发射,分子束外延生长,量子阱,高电子迁移率,InGaAs/GaAs,分子束,单量子阱,功能材料,外延生长,激光二极管,微结构,超高速...
【工作单位】 香港科技大学
【曾工作单位】 香港科技大学;
【所在地域】 香港
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[1]卢励吾,张砚华,徐遵图,徐仲英,王占国,J.Wang,WeikunGe.快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响[J]物理学报.2002,(02)
[2]卢励吾,张砚华,J.Wang,WeikunGe.分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别[J]物理学报.2002,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]卢励吾;张砚华;徐遵图;徐仲英;王占国;J.Wang;WeikunGe;.RTA对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
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