张义门
【姓名】 张义门
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 器件模型
【发表文献关键词】 P/G网,层次法,随机游走法,迭代法,BCG法,层次化,加速算法,子网,迭代算法,计算速度,计算时间,电路,大规模,等效模型,静态分析,线性方程组求解,节点数,计算精度,端口,收敛速度,
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 西安
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中国期刊全文数据库    共找到103篇
[1]邓鹏飞;雷天民;吕晋军;刘福燕;张玉明;郭辉;张义门;王悦湖;汤晓燕;.Fabrication of Thin Graphene Layers on a Stacked 6H-SiC Surface in a Graphite Enclosure[J]Chinese Physics Letters.2013,(01)
[2]关文博;吕红亮;张玉明;张义门;.一种基于三维集成电路的多位碳纳米管硅通孔[J]电子元件与材料.2022,(12)
[3]张弘鹏;郭亮良;陈铖颖;贾仁需;元磊;彭博;张玉明;栾苏珍;张宏怡;张义门;.β-Ga_2O_3 SBD器件的解析模型与仿真研究[J]中国科学:物理学 力学 天文学.2023,(07)
[4]张金灿;张玉明;吕红亮;张义门;刘敏;钟英辉;师政;.A broadband regenerative frequency divider in InGaP/GaAs HBT technology[J]Journal of Semiconductors.2014,(07)
[5]戚军军;吕红亮;张玉明;张义门;.基于人工神经网络的有源器件建模概述[J]微纳电子与智能制造.2021,(02)
[6]戚军军;吕红亮;程林;张玉明;张义门;赵锋国;段兰燕;.一种InPHEMT分布小信号模型建模方法（英文）[J]红外与毫米波学报.2022,(02)
[7]刘思成;汤晓燕;宋庆文;袁昊;张艺蒙;张义门;张玉明;.Lateral depletion-mode 4H-SiC n-channel junction field-effect transistors operational at 400℃[J]Chinese Physics B.2021,(02)
[8]戚军军;吕红亮;张玉明;张义门;张金灿;.一种改进的InP HBT小信号模型的直接提取法（英文）[J]红外与毫米波学报.2020,(03)
[9]吕智军;吕红亮;张玉明;张义门;芦宾;朱翊;孟凡康;孙佳乐;.Characteristic enhancement in tunnel field-effect transistors via introduction of vertical graded source[J]Chinese Physics B.2020,(05)
[10]张静;吕红亮;倪海桥;牛智川;张义门;张玉明;.InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触（英文）[J]红外与毫米波学报.2018,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]康亮;吕红亮;张玉明;张义门;许俊瑞;.基于流体动力学模型的InP单异质结双极晶体管数值仿真研究[A].第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第5分册）.2010-10-15
[2]黄健华;吕红亮;张玉明;张义门;汤晓燕;陈丰平;宋庆文;.4H-SiC混合PiN/Schottky二极管的一种复合终端结构的研究[A].第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第2分册）.2010-10-15
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]张义门;.异质结源漏6H-SiC N沟MOSFET的研究[A].西安电子科技大学;.项目经费 22万元.2004-03-31.资助文献数 8 篇
[2]张义门;.一种新颖结构的碳化硅MOSFET的研究[A].西安电子科技大学;.项目经费 7万元.2002-03-31.资助文献数 4 篇
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