当前位置：
数字出版物超市 >> 
异质结源漏6H-SiC N沟MOSFET的研究
异质结源漏6H-SiC N沟MOSFET的研究
【项目名称】 异质结源漏6H-SiC N沟MOSFET的研究
【项目编号】 60476007
【项目目标】
【项目关键词】 6H-SiC MOSFET 异质结 漏区 离子注入 侧墙 SiC材料 碳化硅 侧墙工艺 沟道区 杂质 电流输运 器件仿真 TCAD 反型 MOSFET器件 杂质激活 饱和漂移速度 肖特基接触 击穿电场 ISE 跨导 晶格缺陷 掺杂 MOS器件 高热导率 载流子迁移率 高掺杂 离化 器件 宽带隙 伏安特性 晶格结构
【项目承办单位】 西安电子科技大学;
【项目负责人】 张义门;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 无线电电子学
【科研经费】 22万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2004-01-04
    【申请截止时间】 2004-03-31
    【立项时间】 2005-01
    【完成时间】 2007-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
    加载本项目科研成果产出报表....
    加载本项目科研成果....
    加载项目负责人以往科研成果....
    加载同类科研项目成果比较....
    加载本项目科研成果引证文献....
    加载学术文献....
    加载所属大项目下的其它项目....
    加载相关研究人员....
    加载相关研究机构....