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一种新颖结构的碳化硅MOSFET的研究
一种新颖结构的碳化硅MOSFET的研究
【项目名称】 一种新颖结构的碳化硅MOSFET的研究
【项目编号】 60276047
【项目目标】
【项目关键词】 埋沟 MOSFET 埋沟器件 栅压 碳化硅 迁移率模型 迁移率 沟道 表面耗尽 沟道迁移率 载流子迁移率 I-V特性 漏电流 工作模式 器件 表面积累层 夹断 电容公式 表面注入 金属氧化物半导体场效应晶体管 表面迁移率 表面沟道 衬底 4H-SiC 正电位 伏安特性 表面态 阈值电压 工作特?
【项目承办单位】 西安电子科技大学;
【项目负责人】 张义门;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 无线电电子学
【科研经费】 7万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2001-12-04
    【申请截止时间】 2002-03-31
    【立项时间】 2003-01
    【完成时间】 2003-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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