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茹国平
【姓名】
茹国平
【职称】
教授;
【研究领域】
无线电电子学;物理学;仪器仪表工业;
【研究方向】
微电子薄膜研究
【发表文献关键词】
固相外延,金属硅化物,W-Si-N,扩散阻挡层,固相反应,CoSi,铜互连,金属诱导结晶,非晶,固相结晶,晶格失配,外延生长,半导体器件物理,Ti/Si,热稳定性,锗硅,固相,接触特性,原子,CoSi...
【工作单位】
复旦大学
【曾工作单位】
复旦大学;
【所在地域】
上海
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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152
4296
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到33篇
[1]茹国平;.
一维任意电荷浓度分布引起的电势"
[J]大学物理.2018,(04)
[2]李营营;茹国平;李湛明;.
中红外量子级联激光器输运特性的仿真(英文)
[J]红外与毫米波学报.2012,(06)
[3]韩忠方;茹国平;阮刚;.
Analysis of the subthreshold characteristics of vertical tunneling field effect transistors
[J]Journal of Semiconductors.2013,(01)
[4]李惟一;茹国平;蒋玉龙;阮刚;.
Trapezoid mesa trench metal-oxide semiconductor barrier Schottky rectifier:an improved Schottky rectifier with better reverse characteristics
[J]Chinese Physics B.2011,(08)
[5]王保民;茹国平;蒋玉龙;屈新萍;李炳宗;刘冉;.
Capacitance-voltage characterization of fully silicided gated MOS capacitor
[J]半导体学报.2009,(03)
[6]徐翠芹;Popadic Milo;Nanver L.K.;茹国平;.
用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析(英文)
[J]半导体技术.2010,(01)
[7]茹国平;俞融;蒋玉龙;阮刚;.
Thermal activation of current in an inhomogeneous Schottky diode with a Gaussian distribution of barrier height
[J]Chinese Physics B.2010,(09)
[8]蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;.
NiSi/Si界面的剖面透射电镜研究(英文)
[J]半导体学报.2006,(02)
[9]王光伟;茹国平;张建民;曹继华;李炳宗;.
溅射SiGe薄膜及其等时等温退火效应
[J]半导体学报.2006,(05)
[10]武慧珍;茹国平;张永刚;金成国;水野文二;蒋玉龙;屈新萍;李炳宗;.
电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结
[J]半导体学报.2006,(11)
更多
承担国家科研项目及科技成果产出
承担国家科研项目
共找到2个
[1]茹国平;.
金属/锗硅固相反应及其与杂质互作用研究
[A].复旦大学;.项目经费 26万元.2005-03-31.资助文献数
4
篇
[2]茹国平;.
多层薄膜固相反应与Co-Ni系硅化物薄膜外延及应用研究
[A].复旦大学;.项目经费 18万元.2001-03-31.资助文献数
2
篇
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