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【姓名】	Parke
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】	动态钳制电位DTMOS器件,嵌入式DRAM技术,系统集成芯片,非典型结构,短沟道效应,晶体管结构,BSIM模型,建模与特征提取,CMOS器件,MOSFET器件,BSIM,临界电压,优化设计,耗散层,英...
【工作单位】	Boise州立大学
【曾工作单位】	Boise州立大学;
【所在地域】

中国期刊全文数据库 共找到5篇

[1]Rambhatla A,Hackler D R,Parke S A.寻求最终亚-50纳米CMOS器件结构(英文)[J]南京师范大学学报(工程技术版).2003,(04)

[2]Parke S A,Cole Bryan.一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法(英文)[J]南京师范大学学报(工程技术版).2003,(04)

[3]Kim C S,Burke F,Rambhatla A,赵阳,Zahurak J,Parke S A.SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)[J]南京师范大学学报(工程技术版).2003,(04)

[4]Burke F,Rambhatla A,Zahurak J,Parke S A.基于0.15微米SOI嵌入式DRAM技术的动态钳制电位DTMOS器件源极与漏极的优化设计(英文)[J]南京师范大学学报(工程技术版).2003,(04)

[5]赵阳,Parke Stephen,Burke Franklyn.基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究[J]电子学报.2004,(05)

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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