Burke
【姓名】 Burke
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 动态钳制电位DTMOS器件,嵌入式DRAM技术,短沟道效应,建模与特征提取,BSIM模型,系统集成芯片,MOSFET器件,BSIM,临界电压,耗散层,MOSFET,深亚微米,特征提取,短沟道,长沟道,...
【工作单位】 Boise州立大学
【曾工作单位】 Boise州立大学;
【所在地域】
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[1]Kim C S,Burke F,Rambhatla A,赵阳,Zahurak J,Parke S A.SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)[J]南京师范大学学报(工程技术版).2003,(04)
[2]Burke F,Rambhatla A,Zahurak J,Parke S A.基于0.15微米SOI嵌入式DRAM技术的动态钳制电位DTMOS器件源极与漏极的优化设计(英文)[J]南京师范大学学报(工程技术版).2003,(04)
[3]赵阳,Parke Stephen,Burke Franklyn.基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究[J]电子学报.2004,(05)
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