Rambhatla
【姓名】 Rambhatla
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 动态钳制电位DTMOS器件,嵌入式DRAM技术,系统集成芯片,优化设计,英文,爱达荷州,BOIS,美国爱达荷州,州立大学,IEEE,电气,超低压,嵌入式DRAM,器件制造,计算机,MOSFET器件,本...
【工作单位】 Boise州立大学
【曾工作单位】 Boise州立大学;
【所在地域】
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[1]Rambhatla A,Hackler D R,Parke S A.寻求最终亚-50纳米CMOS器件结构(英文)[J]南京师范大学学报(工程技术版).2003,(04)
[2]Kim C S,Burke F,Rambhatla A,赵阳,Zahurak J,Parke S A.SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)[J]南京师范大学学报(工程技术版).2003,(04)
[3]Burke F,Rambhatla A,Zahurak J,Parke S A.基于0.15微米SOI嵌入式DRAM技术的动态钳制电位DTMOS器件源极与漏极的优化设计(英文)[J]南京师范大学学报(工程技术版).2003,(04)
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