徐安怀
【姓名】 徐安怀
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】 半导体微结构材料与器件
【发表文献关键词】 氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜,SOIM新结构,多孔硅外延转移,InGaAs/InP HBT,I-V输出特性,N~+高掺杂的复合集电极,InP,InGaAs/InP,InGaAs,δ掺杂层,碳掺杂,阻挡层,...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到28篇
[1]周书星;齐鸣;艾立鹍;徐安怀;汪丽丹;丁芃;金智;.Effects of Si δ-Doping Condition and Growth Interruption on Electrical Properties of InP-Based High Electron Mobility Transistor Structures[J]Chinese Physics Letters.2015,(09)
[2]周磊;金智;苏永波;王显泰;常虎东;徐安怀;齐鸣;.Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with f_t and f_(max) of 185 GHz[J]半导体学报.2010,(09)
[3]苏永波;金智;程伟;刘新宇;徐安怀;齐鸣;.Ultra high-speed InP/InGaAs DHBTs with f_t of 203 GHz[J]半导体学报.2009,(01)
[4]田方坤;艾立鹍;孙国玉;徐安怀;黄华;龚谦;齐鸣;.In_yAl_(1-y)As线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响（英文）[J]红外与毫米波学报.2022,(04)
[5]周书星;艾立鹍;齐鸣;徐安怀;颜家圣;李树森;金智;.Characterization of low-resistance ohmic contacts to heavily carbon-doped n-type InGaAsBi films treated by rapid thermal annealing[J]Chinese Physics B.2021,(02)
[6]李家恺;艾立鹍;齐鸣;徐安怀;王庶民;.Effects of growth conditions on optical quality and surface morphology of InGaAsBi[J]Chinese Physics B.2018,(04)
[7]周书星;齐鸣;艾立鹍;徐安怀;.Growth condition optimization and mobility enhancement through inserting AlAs monolayer in the InP-based In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMT structures[J]Chinese Physics B.2016,(09)
[8]孙浩;齐鸣;艾立鹍;徐安怀;滕腾;朱福英;.用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)[J]电子器件.2011,(01)
[9]苏永波;金智;程伟;葛霁;王显泰;陈高鹏;刘新宇;徐安怀;齐鸣;.An InGaAs/InP 40 GHz CML static frequency divider[J]半导体学报.2011,(03)
[10]金智;程伟;刘新宇;徐安怀;齐鸣;.一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)[J]红外与毫米波学报.2009,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]苏树兵;于进勇;刘新宇;刘训春;王润梅;徐安怀;齐鸣;.高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]金智;齐鸣;于广辉;赵立新;徐安怀.太赫兹三端电子器件研究[A].中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院微电子研究所.项目经费 265.60万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇
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