| 【项目名称】 |
太赫兹三端电子器件研究 |
| 【项目编号】 |
2010CB327502 |
| 【项目目标】 |
【研究目标】
1.建立GSMBE生长动力学模型，实现对InP基材料缺陷、掺杂和界面等关键参数的原子级调控；
2.从能带剪裁和应变工程的角度，解决化合物半导体器件频率特性与击穿电压之间的矛盾，研制出满足太赫兹器件要求的InP基三端器件外延层结构；
3.根据理论和工艺的研究，建立InP基超高频器件的等比例缩小原则，实现截止频率大于0.5THz的、新结构的InP基太赫兹三端电子器件；
4.建立高端毫米波单片集成电路设计方法学，利用所研制的太赫兹三端器件实现毫米波、亚毫米波的LNA和VCO 微波单片集成电路原型电路。
【研究主要内容】
1.研究超高频InP基器件结构中载流子的输运机理，从能带剪裁的角度研究InP基化合物半导体超高频特性与击穿电压的关系；
2.研究原子级InP基化合物半导体的外延生长动力学，考虑应变效应从热力学角度建立生长动力学模型，为外延生长提供理论依据。进一步建立相应的表征方法以及外延生长动力学与材料的关联性；
3.重点开展纳米尺度发射极、栅极的制作工艺以及面向太赫兹器件的欧姆接触等关键工艺研究；结合理论研究，从工艺和理论两个方面建立化合物半导体器件的等比例缩小原则，为器件从吉赫兹进入太赫兹频段提供理论和实验依据；
4.在器件研究的基础上实现几种毫米波、亚毫米波2009-01-21 |
| 【项目关键词】 |
化合物半导体;太赫兹;超高频;电子器件;集成技术;大功率;毫米波电路;生长动力学模型;等比例缩小;击穿电压;纳米尺度;三端器件;原子;微波单片集成电路; |
| 【项目承办单位】 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院微电子研究所 |
| 【项目负责人】 |
金智;齐鸣;于广辉;赵立新;徐安怀 |
| 【项目来源】 |
国家重点基础研究发展计划（973计划）项目 |
| 【涉及学科】 |
无线电电子学; |
| 【科研经费】 |
265.60万 |
| 【所属大项目】 |
超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究 |
| 【项目参与研究人员】 |
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| 【项目参与研究机构】 |
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| 【项目成果摘要】 |
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| 【发布单位】 |
科学技术部 |
| 【发布时间】 |
2009-01-21 |
| 【申请截止时间】 |
2009-03-31 |
| 【立项时间】 |
2010-01 |
| 【完成时间】 |
2014-08 |
| 【申请条件】 |
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| 【联系方式】 |
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| 【项目信息来源】 |
http://www.most.gov.cn/tztg/200907/t20090724_71974.htm |