金智
【姓名】 金智
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;化学;
【研究方向】 毫米波器件与集成电路方面的研究工作
【发表文献关键词】 InP/InGaAs,HBT,复合式集电区,势垒尖峰,击穿电压,阻挡效应,电流密度,掺杂浓度,导带,截止频率,层结构,外延层,有效速率,结构设计,设计参考,厚度,参数,带隙,抑制,泊松公式,
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]巩永恒;陈宇轩;史敬元;张大勇;苏永波;丁武昌;丁芃;金智;.对InAs复合沟道HEMT中跨导曲线异常偏移的峰分离和小信号模型分析(英文)[J]红外与毫米波学报.2026,(02)
[2]刘志成;周静涛;王晓宇;柴凯龙;金智;贾锐;.带有四次谐波回路的110GHz二倍频器[J]微波学报.2024,(S1)
[3]周静涛;金智;苏永波;史敬元;丁武昌;张大勇;杨枫;刘桐;.基于InP/InGaAs肖特基二极管的高灵敏太赫兹探测器[J]太赫兹科学与电子信息学报.2025,(01)
[4]刘志成;周静涛;孟进;魏浩淼;杨成樾;苏永波;金智;贾锐;.基于线性优化法设计的高输出功率340GHz平衡式二倍频器(英文)[J]红外与毫米波学报.2025,(02)
[5]田闯;肖润涵;隋妍萍;冯钰涵;王浩敏;赵孙文;刘家文;高秀丽;孙浩;彭松昂;金智;刘新宇;王爽;李湃;于广辉;.VLS和VSS生长机制调控的单层TMD中的反向掺杂分布(英文)[J]Science China(Materials).2023,(12)
[6]卢正威;苏永波;甄文祥;丁武昌;魏浩淼;曹书睿;丁健君;金智;.一种基于InP DHBT的CB Stack功率放大器设计[J]微电子学.2023,(05)
[7]张巍;陈晨;贾锐;Janssen G.J.M.;张代生;邢钊;Bronsveld P.C.P.;WeeberA.W.;金智;刘新宇;.Optimization of Metal Coverage on the Emitter in n-Type Interdigitated Back Contact Solar Cells Using a PC2D Simulation[J]Chinese Physics Letters.2013,(07)
[8]任田昊;张勇;延波;徐锐敏;杨成樾;周静涛;金智;.A 330-500 GHz Zero-Biased Broadband Tripler Based on Terahertz Monolithic Integrated Circuits[J]Chinese Physics Letters.2015,(02)
[9]周书星;齐鸣;艾立鹍;徐安怀;汪丽丹;丁芃;金智;.Effects of Si δ-Doping Condition and Growth Interruption on Electrical Properties of InP-Based High Electron Mobility Transistor Structures[J]Chinese Physics Letters.2015,(09)
[10]封瑞泽;曹书睿;冯识谕;周福贵;刘同;苏永波;金智;.电流增益截止频率为441GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT(英文)[J]红外与毫米波学报.2024,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到7篇
[1]金智;.InP基太赫兹器件和单片集成电路[A].第二届全国太赫兹科学技术学术年会论文集.2016-04-13
[2]郑鹏辉;周静涛;金智;张勇;.肖特基二极管太赫兹检波器研究[A].第二届全国太赫兹科学技术学术年会论文集.2016-04-13
[3]郑鹏辉;张勇;周静涛;金智;.肖特基二极管太赫兹检波器研究[A].2016年全国军事微波、太赫兹、电磁兼容技术学术会议论文集.2016-08-17
[4]陈高鹏;葛霁;程伟;王显泰;苏永波;金智;刘新宇;.W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[5]葛霁;金智;程伟;苏永波;刘新宇;.改进了渡越时间方程的InP DHBT模型[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[6]金智;苏永波;姚鸿飞;宁晓曦;钟英辉;.W波段固态电子器件与电路[A].中国真空学会2012学术年会论文摘要集.2012-09-21
[7]李景;季恒星;张星;王选芸;金智;王栋;万立骏;.1-3层石墨烯的常压可控生长[A].中国化学会第29届学术年会摘要集——第30分会:低维碳材料.2014-08-04
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]金智.无导带势垒尖峰的InGaAs/InPDHBT中载流子输运机理研究[A].中国科学院微电子研究所.项目经费 10万元.2009-03-20.资助文献数 0
[2]金智;齐鸣;于广辉;赵立新;徐安怀.太赫兹三端电子器件研究[A].中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院微电子研究所.项目经费 265.60万元.2009-03-31.资助文献数 0
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