郑英奎
【姓名】 郑英奎
【职称】 副研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 氮化镓电子器件
【发表文献关键词】 HFET,混合曝光,T型栅,PHEMT,平面掺杂,赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT),二维电子气,电子束光刻,AlGaN/GaN,高电子迁移率晶体管,MOCVD,功率器件,深亚微米栅,PHEMT器件...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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