| 【项目目标】 |
【研究目标】
1.揭示AlGaN/GaN异质结构的外延生长动力学规律及其与材料、器件宏观电学性质的内在联系，建立毫米波材料和器件表征方法、表征体系；
2.应用极化能带工程设计出几种新型满足毫米波GaN功率器件和电路需求的HEMT材料，研制出拥有自主产权的GaN基毫米波微电子材料，室温2DEG迁移率达到2300cm2/ V·s，2DEG浓度（ns）与迁移率（μ）的乘积ns×μ≥2×1016/ V·s，AlGaN/GaN HEMT结构材料的平均方块电阻＜250Ω/□ ，不均匀性小于3%；
3.提出抑制短沟道效应的整套材料、器件解决方案，突破毫米波GaN器件关键工艺，开发出成套拥有自主产权的GaN基毫米波器件工艺流程，GaN基毫米波HEMT器件的fT>100 GHz，输出功率密度达到5～10 W/mm。
【研究主要内容】
1.研究AlGaN/GaN异质结构的外延生长动力学及其与材料宏观电学性质的内在联系、AlGaN/GaN异质结构中的缺陷行为和表面态、缺陷控制，开展GaN毫米波材料和器件表征方法和相关性研究；
2.研究GaN基毫米波功率器件的短沟道效应以及强场下二维电子气输运机理和器件特性，抑制GaN基毫米波器件短沟道效应，实现高性能毫米波功率器件；
3.重点开展欧姆接触、0.15umΓ型栅、低损伤凹槽栅刻蚀、肖特基接触、器件表面处理和钝化、衬底减薄及通?009-01-21 |