龙世兵
【姓名】 龙世兵
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;工业通用技术及设备;
【研究方向】 电子束光刻工艺、纳米器件及其制作工艺技术
【发表文献关键词】 移相掩模,抗蚀剂,二元掩模,元胞,移相掩模技术,自动机,交替式移相掩模,相位冲突,光学临近效应校正,凹槽图形,移相器,分辨率,纳米晶存储器,非挥发性存储器,分立电荷存储,GaAs衬底,无铬,抗蚀剂显影...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到24篇
[1]刘红涛;杨保和;吕杭炳;许晓欣;罗庆;王国明;张美芸;龙世兵;刘琦;刘明;.Effect of Pulse and dc Formation on the Performance of One-Transistor and One-Resistor Resistance Random Access Memory Devices[J]Chinese Physics Letters.2015,(02)
[2]刘璟;许晓欣;陈传兵;龚天成;余兆安;罗庆;袁鹏;董大年;刘琦;龙世兵;吕杭炳;刘明;.Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory[J]Chinese Physics B.2018,(11)
[3]刘琦;刘森;龙世兵;吕杭炳;刘明;.阳离子基阻变存储器的研究进展[J]中国材料进展.2017,(02)
[4]张颖;龙世兵;刘明;.新型阻变存储器的物理研究与产业化前景[J]物理.2017,(10)
[5]吴全潭;时拓;赵晓龙;张续猛;伍法才;曹荣荣;龙世兵;吕杭炳;刘琦;刘明;.基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器[J]物理学报.2017,(21)
[6]卢年端;孙鹏霄;李泠;刘琦;龙世兵;吕杭炳;刘明;.Thermal effect on endurance performance of 3-dimensional RRAM crossbar array[J]Chinese Physics B.2016,(05)
[7]雷晓艺;刘红侠;高海霞;杨哈妮;王国明;龙世兵;马晓华;刘明;.Resistive switching characteristics of Ti/ZrO_2/Pt RRAM device[J]Chinese Physics B.2014,(11)
[8]张康玮;龙世兵;刘琦;吕杭炳;李颖弢;王艳;连文泰;王明;张森;刘明;.基于整流特性的RRAM无源交叉阵列研究进展[J]中国科学:技术科学.2011,(04)
[9]李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦;刘肃;刘明;.电阻转变型非挥发性存储器概述[J]科学通报.2011,(24)
[10]李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦;王琴;王艳;张森;连文泰;刘肃;刘明;.Investigation of resistive switching behaviours in WO_3-based RRAM devices[J]Chinese Physics B.2011,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]龙世兵;李志刚;王丛舜;谢长青;张立辉;易里成荣;陈宝钦;赵新为;刘明;.一种SOI基平面侧栅单电子晶体管的制作方法[A].科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集.2004-06-30
[2]刘明;王丛舜;谢常青;龙世兵;李志钢;张立辉;易里成荣;.纳米电子器件及其集成技术[A].科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集.2004-06-30
[3]刘明;王丛舜;谢常青;龙世兵;李志钢;易里成荣;.纳米电子器件及其集成技术[A].2005年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集.2005-09-01
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]龙世兵.掺杂提高二元金属氧化物电致电阻转变性能的作用机理研究[A].中国科学院微电子研究所.项目经费 32万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇
[2]张满红;刘明;吴金刚;王慰;代月花;陈宝钦;龙世兵;张建宏;王琴;牛洁斌.CTM存储芯片集成技术研究[A].中国科学院微电子研究所.项目经费 541.59万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇
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