| 【项目名称】 |
CTM存储芯片集成技术研究 |
| 【项目编号】 |
2010CB934204 |
| 【项目目标】 |
【研究目标】
实现基于新型材料的CTM器件的纳米加工技术和集成技术，建立新材料制备与选择性刻蚀等CTM关键工艺模块，研制出新型CTM存储器件。在大生产工艺平台验证其可行性，获得可制造性解决方案，研制出容量达到1Gbit的CTM存储器验证芯片，为向大生产量产工艺技术转移奠定基础。发展新型存储器和纳米器件的共性技术平台，包括工艺、测试、失效机理分析、纳米器件的加工和检测表征，掌握关键技术的核心IP。在完成本项目的研究目标的同时，为纳米重大研究计划前期部署的新型器件项目未来的集成化提供技术和平台支撑。
【研究主要内容】
1.在器件加工过程中，由于引入了大量的新材料，需要通过实验研究超薄复合栅介质材料、新型电荷俘获层材料、新型金属栅材料的制备工艺与选择性刻蚀工艺等，从而建立高密度CTM器件的材料制备与刻蚀等关键工艺模块，并研究工艺模块之间互相影响的基础问题。从纳米存储单元的制备及其尺寸一致性与稳定性入手，提出工艺实现方案，通过工艺仿真设计、单项工艺试验，解决工艺环节之间由于新材料引入导致的兼容性、稳定性等问题，实现各种工艺之间的兼容匹配和集成。
2.在实验室现有设备条件下，通过增加或研制关键设备，完善CTM工艺平台，并研究薄膜制备设备与工艺条件的兼?009-01-21 |
| 【项目关键词】 |
集成技术;存储器件;高密度电荷;结构电荷;纳米器件;纳米加工;工艺模块;选择性刻蚀;存储材料;材料制备;存储单元;工艺集成;存储芯片;非挥发性; |
| 【项目承办单位】 |
中国科学院微电子研究所 |
| 【项目负责人】 |
张满红;刘明;吴金刚;王慰;代月花;陈宝钦;龙世兵;张建宏;王琴;牛洁斌 |
| 【项目来源】 |
国家重点基础研究发展计划（973计划）项目 |
| 【涉及学科】 |
无线电电子学; |
| 【科研经费】 |
541.59万 |
| 【所属大项目】 |
纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究 |
| 【项目参与研究人员】 |
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| 【项目参与研究机构】 |
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| 【项目成果摘要】 |
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| 【发布单位】 |
科学技术部 |
| 【发布时间】 |
2009-01-21 |
| 【申请截止时间】 |
2009-03-31 |
| 【立项时间】 |
2010-01 |
| 【完成时间】 |
2014-08 |
| 【申请条件】 |
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| 【联系方式】 |
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| 【项目信息来源】 |
http://www.most.gov.cn/tztg/200907/t20090724_71974.htm |