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齐鸣

【姓名】	齐鸣
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】	异质结双极晶体管(HBT),InGaP/GaAs,阻挡层,离子注入,分子束外延(MBE),Ⅲ/Ⅴ比,二维生长模式,光致发光(PL)谱,等离子体辅助分子束外延,氮化镓,阳极氧化铝,纳米孔,ICP刻蚀,R...
【工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】	上海

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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中国期刊全文数据库 共找到43篇

[2]周磊;金智;苏永波;王显泰;常虎东;徐安怀;齐鸣;.Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with f_t and f_(max) of 185 GHz[J]半导体学报.2010,(09)

[3]苏永波;金智;程伟;刘新宇;徐安怀;齐鸣;.Ultra high-speed InP/InGaAs DHBTs with f_t of 203 GHz[J]半导体学报.2009,(01)

[4]田方坤;艾立鹍;孙国玉;徐安怀;黄华;龚谦;齐鸣;.In_yAl_(1-y)As线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响（英文）[J]红外与毫米波学报.2022,(04)

[6]李家恺;艾立鹍;齐鸣;徐安怀;王庶民;.Effects of growth conditions on optical quality and surface morphology of InGaAsBi[J]Chinese Physics B.2018,(04)

[8]孙浩;齐鸣;艾立鹍;徐安怀;滕腾;朱福英;.用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)[J]电子器件.2011,(01)

[9]苏永波;金智;程伟;葛霁;王显泰;陈高鹏;刘新宇;徐安怀;齐鸣;.An InGaAs/InP 40 GHz CML static frequency divider[J]半导体学报.2011,(03)

[10]金智;程伟;刘新宇;徐安怀;齐鸣;.一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)[J]红外与毫米波学报.2009,(02)

中国重要会议全文数据库 共找到3篇

[1]苏树兵;于进勇;刘新宇;刘训春;王润梅;徐安怀;齐鸣;.高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27

[2]于广辉;王笑龙;王新中;林朝通;曹明霞;齐鸣;李爱珍;.氮化镓材料的ICP刻饰损伤与回复研究[A].中国光学学会2006年学术大会论文摘要集.2006-09-01

[3]于广辉;林朝通;王新中;曹明霞;雷本亮;齐鸣;李爱珍;.厚膜氮化镓材料的HVPE生长[A].第11届全国发光学学术会议论文摘要集.2007-08-01

承担国家科研项目 共找到2个

[1]齐鸣;.InP基RTD/HBT量子单片微波集成电路关键技术研究[A].中国科学院上海微系统与信息技术研究所;.项目经费 30万元.2006-03-27.资助文献数 2 篇

[2]金智;齐鸣;于广辉;赵立新;徐安怀.太赫兹三端电子器件研究[A].中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院微电子研究所.项目经费 265.60万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇