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张兴旺
【姓名】
张兴旺
【职称】
研究员;
【研究领域】
无线电电子学;电力工业;物理学;
【研究方向】
宽带隙半导体材料及纳米功能材料研究
【发表文献关键词】
BN薄膜,异质外延,金刚石,立方氮化硼,立方氮化硼薄膜,透射电子显微镜,薄膜衬底,微结构研究,HRTEM,织构,立方相,金刚石薄膜,硅衬底,多晶金刚石,六角氮化硼,上生,EELS,外延生长,FTIR谱...
【工作单位】
中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】
中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到29篇
[1]尹志岗;郑怀文;吴金良;张兴旺;.
组分均匀的多元半导体合金单晶微重力生长
[J]中国科学:技术科学.2025,(12)
[2]尹志岗;董昊;程勇;吴金良;张志伟;张兴旺;.
HfO_2基铁电材料准静态负电容机理
[J]北京工业大学学报.2025,(03)
[3]李博;尹志岗;吴金良;张兴旺;.
铁电四方相BiFeO_3单晶薄膜与Si异构集成研究
[J]微纳电子技术.2025,(10)
[4]师明明;江季;张兴旺;.
乙酸胍表面处理提高纯红光钙钛矿发光二极管性能
[J]发光学报.2024,(04)
[5]黄吉东;田琰;程勇;李星星;张丝雨;江季;陈镜壬;王高凯;李景祯;尹志岗;张兴旺;.
全组分/带隙可调的二维ZrS_(2(1-x))Se_(2x)半导体合金的外延生长及其光电应用(英文)
[J]Science China(Materials).2023,(05)
[6]王高凯;张兴旺;.
六方氮化硼外延生长研究进展
[J]人工晶体学报.2023,(05)
[7]蒋骞;张静;谢亮;孟军华;张兴旺;.
氧化镓薄膜外延生长及其应用研究进展
[J]材料导报.2022,(13)
[8]张兴旺;高孟磊;孟军华;.
介质衬底上生长h-BN二维原子晶体的研究进展
[J]无机材料学报.2019,(12)
[9]尹志岗;张兴旺;吴金良;.
Ⅲ-Ⅴ族半导体微重力生长研究进展
[J]中国科学:物理学 力学 天文学.2020,(04)
[10]王烨;高孟磊;吴金良;张兴旺;.
Metal halide perovskite photodetectors: Material features and device engineering
[J]Chinese Physics B.2019,(01)
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中国重要会议全文数据库
共找到1篇
[1]张兴旺;屈盛;陈诺夫;.
胶束法制备有序金属纳米颗粒阵列
[A].2006年全国功能材料学术年会专辑.2006-07-01
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承担国家科研项目及科技成果产出
承担国家科研项目
共找到3个
[1]张兴旺;.
胶束化方法和溅射沉积相结合制备c轴取向FePt纳米复合薄膜及其性质研究
[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 30万元.2006-03-27.资助文献数
0
篇
[2]张兴旺;.
表面等离激元增强ZnO基器件紫外电致发光研究
[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 36万元.2008-03-20.资助文献数
0
篇
[3]李晋闽;张兴旺;林学春;侯玮;何青;刘玮;何炜瑜;王宝华;李瑞贤;赵鹏飞.
新型硅纳米结构器件物理
[A].中国科学院半导体研究所;南开大学.项目经费 308.47万元.2009-03-31.资助文献数
0
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