| 【项目名称】 |
新型硅纳米结构器件物理 |
| 【项目编号】 |
2010CB933803 |
| 【项目目标】 |
【研究目标】
1.计算模拟出能够最大限度减少反射的晶锥阵列结构参数；
2.定性和定量分析高浓度掺杂所形成的微观结构（包括纳米颗粒新相和缺陷）；
3.测试和分析杂质深能级在半导体带隙中的位置和密度；
4.建立三能级光吸收模型和多电子产出的物理模型；
5.制备用于硅表面微构造的同轴双波长激光器：
6.提高我国黑硅材料物理及器件物理的整体水平，为黑硅材料和器件应用打下坚实的基础。发表SCI与EI收录论文约10篇，申请专利约4项，培养博/硕士生约6名。
【研究主要内容】
1.微纳晶锥阵列的光减反计算模拟
2.显微结构分析
3.三能级光吸收模型
4.多电子产出模型
5.激光器制备 |
| 【项目关键词】 |
硅太阳能电池;器件物理;硅材料;纳结构;吸收模型;计算模拟;深能级;硅表面;多电子;晶锥;硅纳米结构;主要内容;三能级;广谱;阵列结构;微观结构;双波长激光器;定量分析;物理模型;纳米颗粒; |
| 【项目承办单位】 |
中国科学院半导体研究所;南开大学 |
| 【项目负责人】 |
李晋闽;张兴旺;林学春;侯玮;何青;刘玮;何炜瑜;王宝华;李瑞贤;赵鹏飞 |
| 【项目来源】 |
国家重点基础研究发展计划（973计划）项目 |
| 【涉及学科】 |
无线电电子学; |
| 【科研经费】 |
308.47万 |
| 【所属大项目】 |
新型微纳结构硅材料及其广谱高效太阳能电池研究 |
| 【项目参与研究人员】 |
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| 【项目参与研究机构】 |
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| 【项目成果摘要】 |
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| 【发布单位】 |
科学技术部 |
| 【发布时间】 |
2009-01-21 |
| 【申请截止时间】 |
2009-03-31 |
| 【立项时间】 |
2010-01 |
| 【完成时间】 |
2011-10 |
| 【申请条件】 |
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| 【联系方式】 |
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| 【项目信息来源】 |
http://www.most.gov.cn/tztg/200907/t20090724_71974.htm |