赵立新
【姓名】 赵立新
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 栅控二极管,静态随机存储器,部分耗尽SOI,抗E,总剂量,辐照前,CMOS/SOI,总剂量辐照,管脚,工艺集成,加固工艺,ESD保护电路,阈值电压漂移,栅氧化层,体硅,氧化层陷阱电荷,限流电阻,SOI...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]赵立新;金智;刘新宇;.Microwave dynamic large signal waveform characterization of advanced InGaP HBT for power amplifiers[J]半导体学报.2009,(12)
[2]赵立新;金智;刘新宇;.Large signal RF power transmission characterization of InGaP HBT for RF power amplifiers[J]半导体学报.2010,(01)
[3]赵立新;金智;刘新宇;.The microwave large signal load line of an InGaP HBT[J]半导体学报.2010,(04)
[4]郭天雷;韩郑生;海潮和;周小茵;李多力;赵立新;.PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固[J]电子器件.2007,(03)
[5]郭天雷;赵发展;刘刚;李多力;李晶;赵立新;周小茵;海潮和;韩郑生;.总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器(英文)[J]半导体学报.2007,(08)
[6]汤仙明,韩郑生,周小茵,海潮和,赵立新.CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验[J]微电子学.2004,(06)
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]金智;齐鸣;于广辉;赵立新;徐安怀.太赫兹三端电子器件研究[A].中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院微电子研究所.项目经费 265.60万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇
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