刘新宇
【姓名】 刘新宇
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 化合物半导体器件和电路的研究
【发表文献关键词】 AlGaN/GaN,高电子迁移率晶体管,微波功率,功率增益,HBT,微波功率管,稳定性,InP,异质结双极型晶体管,微空气桥,自对准,输出功率,高性能,金属有机物化学气相淀积,稳定网络,功率器件,In...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]杨飏;黄森;付星宇;郭富强;姚毅旭;邓可心;刘剑飞;王鑫华;高新国;魏珂;刘新宇;杨学林;沈波;.二次外延异质结构介导的倾斜沟道GaN基p型晶体管制备与特性[J]物理学报.2026,(08)
[2]田闯;肖润涵;隋妍萍;冯钰涵;王浩敏;赵孙文;刘家文;高秀丽;孙浩;彭松昂;金智;刘新宇;王爽;李湃;于广辉;.VLS和VSS生长机制调控的单层TMD中的反向掺杂分布(英文)[J]Science China(Materials).2023,(12)
[3]陈晓娟;张一川;袁静;高润华;殷海波;李艳奎;刘新宇;魏珂;.低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制[J]微电子学.2023,(05)
[4]罗卫军;陈晓娟;袁婷婷;庞磊;刘新宇;.AlGaN/GaN Based Diodes for Liquid Sensing[J]Chinese Physics Letters.2013,(03)
[5]张巍;陈晨;贾锐;Janssen G.J.M.;张代生;邢钊;Bronsveld P.C.P.;WeeberA.W.;金智;刘新宇;.Optimization of Metal Coverage on the Emitter in n-Type Interdigitated Back Contact Solar Cells Using a PC2D Simulation[J]Chinese Physics Letters.2013,(07)
[6]赵妙;刘新宇;.Analysis of Capacitance-Voltage-Temperature Characteristics of GaN High-Electron-Mobility Transistors[J]Chinese Physics Letters.2015,(04)
[7]申华军;唐亚超;彭朝阳;邓小川;白云;王弋宇;李诚瞻;刘可安;刘新宇;.Fabrication and Characterization of 1700 V 4H-SiC Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors[J]Chinese Physics Letters.2015,(12)
[8]黄森;张寒;郭富强;王鑫华;蒋其梦;魏珂;刘新宇;.面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件[J]电子与封装.2023,(01)
[9]冯旺;刘新宇;田晓丽;杨雨;郑昌伟;杨成樾;.10 kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现[J]电源学报.2023,(01)
[10]刘佳维;陆江;白云;成国栋;左欣欣;刘新宇;.SiC超结MOSFET的短路特性研究[J]电源学报.2023,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到16篇
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[2]苏树兵;于进勇;刘新宇;刘训春;王润梅;徐安怀;齐鸣;.高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT[A].2005'全国微波毫米波会议论文集(第三册).2006-02-27
[3]申华军;陈延湖;葛霁;王显泰;刘新宇;吴德馨;.5.4GHz 1W InGaP/GaAs HBT功率管[A].2005'全国微波毫米波会议论文集(第三册).2006-02-27
[4]姚小江;刘新宇;刘键;魏珂;李诚瞻;刘丹;刘果果;陈小娟;和致经;.AlGaN/GaN HEMT器件高温退化机理研究[A].2005'全国微波毫米波会议论文集(第三册).2006-02-27
[5]葛霁;刘新宇;申华军;陈延胡;吴德馨;.GaAs HBT VBIC模型参数的提取[A].2005'全国微波毫米波会议论文集(第三册).2006-02-27
[6]阎跃鹏;于进勇;刘新宇;武锦;梁晓新;肖婷婷;刘永刚;.W-CDMA PA芯片的研制[A].2005'全国微波毫米波会议论文集(第二册).2006-02-27
[7]李诚瞻;刘键;刘果果;刘新宇;和致经;.钝化对AlGaN/GaN HEMTs栅电流的影响[A].2005'全国微波毫米波会议论文集(第二册).2006-02-27
[8]陈高鹏;葛霁;程伟;王显泰;苏永波;金智;刘新宇;.W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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[10]葛霁;金智;程伟;苏永波;刘新宇;.改进了渡越时间方程的InP DHBT模型[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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承担国家科研项目    共找到3个
[1]刘新宇.AlGaN/GaNHEMT飞秒超快特性的研究[A].中国科学院微电子研究所.项目经费 31万元.2009-03-20.资助文献数 0
[2]刘新宇.超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究[A].中国科学院微电子研究所.项目经费 1328万元.2009-03-31.资助文献数 0
[3]刘新宇;王晓亮;郑英奎;肖红领;魏珂;王翠梅.毫米波GaN功率器件和电路研究[A].中国科学院半导体研究所;中国科学院微电子研究所.项目经费 265.6万元.2009-03-31.资助文献数 0
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