施左宇
【姓名】 施左宇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 退火迁移率,SOI,SIMOX,SIMNI,离子注入,埋层,化学配比,分凝,SOI材料,溅射,模拟结果,注氧,器件性能,界面扩散,离子注,计算机模拟,退火温度,计算机,硅原子,氧分布,产额,氨化硅,计...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]施左宇，林成鲁，朱文化，邹世昌.离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟[J]半导体学报.1994,(01)
[2]施左宇,林成鲁,朱文化,邹世昌,李金华.退火温度对SOI材料与器件性能的影响[J]固体电子学研究与进展.1992,(03)
[3]施左宇;林成鲁;朱文化;U.Bussmann;P.L.F.Hemment;邹世昌;.离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟[J]功能材料.1993,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]施左宇;朱文化;杨云洁;林成鲁;.SOI中砷注入退火研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
[2]朱文化;施左宇;杨云洁;林成鲁;.SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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