P.L.F.Hemment
【姓名】 P.L.F.Hemment
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 二次缺陷,埋层氮化碳CN_x,C≡N共价键,锗离子,非晶化,硅单晶,氮化碳,离子注入,CN_x,离子束合成,注入层,超硬材料,缺陷带,热退火,C膜,XTEM,埋层,非晶化程度,非晶层,单晶,厚度条纹,...
【工作单位】 Surrey大学
【曾工作单位】 Surrey大学;
【所在地域】
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[1]辛火平,林成鲁,许华平,邹世昌,石晓红,吴兴龙,朱宏,P.L.F.Hemment.新型超硬材料氮化碳CN_x的离子束合成的研究[J]中国科学E辑:技术科学.1996,(03)
[2]范缇文,张敬平,P.L.F.Hemment.锗离子注入硅单晶的非晶化及二次缺陷的研究[J]半导体学报.1993,(12)
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