魏珂
【姓名】 魏珂
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】 微波器件与电路
【发表文献关键词】 AlGaN/GaN,跨导,HEMTs,SiO2,阵列波导光栅(AWG),感应耦合等离子体刻蚀(ICP),双平面掺杂,HEMT,HEMT器件,双选择腐蚀栅槽,高跨导,离子注入,离子耦合,PHEMT,刻蚀...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到51篇
[1]杨飏;黄森;付星宇;郭富强;姚毅旭;邓可心;刘剑飞;王鑫华;高新国;魏珂;刘新宇;杨学林;沈波;.二次外延异质结构介导的倾斜沟道GaN基p型晶体管制备与特性[J]物理学报.2026,(08)
[2]陈晓娟;张一川;袁静;高润华;殷海波;李艳奎;刘新宇;魏珂;.低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制[J]微电子学.2023,(05)
[3]袁静;景冠军;王建超;汪柳;高润华;张一川;姚毅旭;魏珂;李艳奎;陈晓娟;.具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiN_x/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTs（英文）[J]红外与毫米波学报.2024,(02)
[4]黄森;张寒;郭富强;王鑫华;蒋其梦;魏珂;刘新宇;.面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件[J]电子与封装.2023,(01)
[5]陈晓娟;张昇;张一川;李艳奎;高润华;刘新宇;魏珂;.应用于宽带的AlGaN/GaN MIS-HEMT高效率器件（英文）[J]红外与毫米波学报.2023,(03)
[6]陈晓娟;张一川;张昇;李艳奎;牛洁斌;黄森;马晓华;张进成;魏珂;.带有原位生长SiN_x绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件（英文）[J]红外与毫米波学报.2023,(04)
[7]周兴达;刘果果;袁婷婷;魏珂;刘新宇;.基于GaN的3.4～3.6 GHz高增益Doherty功率放大器[J]微波学报.2021,(06)
[8]刘芷诫;郑英奎;康玄武;孙跃;吴昊;陈晓娟;魏珂;.AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模[J]半导体技术.2021,(05)
[9]赵媛媛;郑英奎;康玄武;孙跃;吴昊;魏珂;刘新宇;.Ar离子注入边缘终端准垂直GaN肖特基势垒二极管[J]半导体技术.2021,(08)
[10]赵志波;杨兵;康玄武;张静;吴昊;孙跃;郑英奎;魏珂;.退火处理降低AlGaN/GaN台面隔离电流[J]半导体技术.2020,(04)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]姚小江;刘新宇;刘键;魏珂;李诚瞻;刘丹;刘果果;陈小娟;和致经;.AlGaN/GaN HEMT器件高温退化机理研究[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27
[2]李诚瞻;魏珂;郑英奎;刘果果;庞磊;刘新宇;.检验GaN基外延材料质量的简易方法[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]刘新宇;王晓亮;郑英奎;肖红领;魏珂;王翠梅.毫米波GaN功率器件和电路研究[A].中国科学院半导体研究所;中国科学院微电子研究所.项目经费 265.6万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇
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