牛洁斌
【姓名】 牛洁斌
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;仪器仪表工业;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 高电子迁移率,Al膜,HEMT,截止频率,InP基,场效应晶体管,微波单片集成电路,过渡层,HEMT器件,晶格匹配,锯齿型,HEMTs,英文,微结构,InGaAs,性能的影响,电阻,微电,导达,临近效...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到31篇
[1]华一磊;牛洁斌;李海亮;.高效率硬X射线波带片的设计与制作（特邀）[J]光学学报(网络版).2025,(19)
[2]许高博;徐秋霞;殷华湘;周华杰;杨涛;牛洁斌;贺晓彬;孟令款;余嘉晗;李俊峰;闫江;赵超;陈大鹏;.Characterization of HfSiAlON/MoAlN PMOSFETs Fabricated by Using a Novel Gate-Last Process[J]Chinese Physics Letters.2013,(08)
[3]陈晓娟;张一川;张昇;李艳奎;牛洁斌;黄森;马晓华;张进成;魏珂;.带有原位生长SiN_x绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件（英文）[J]红外与毫米波学报.2023,(04)
[4]薛焱文;杨立伟;王冠亚;牛洁斌;刘宇;李海亮;.基于金属辅助化学腐蚀的大高宽比硅纳米结构制备[J]微纳电子技术.2020,(12)
[5]李海亮;史丽娜;牛洁斌;王冠亚;谢常青;.大高宽比硬X射线波带片制作及聚焦测试[J]光学精密工程.2017,(11)
[6]何宽;易涛;刘慎业;牛洁斌;陈宝钦;朱效立;.高线密度X射线双光栅的研制[J]微纳电子技术.2014,(06)
[7]许高博;徐秋霞;殷华湘;周华杰;杨涛;牛洁斌;余嘉晗;李俊峰;赵超;.A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process[J]Chinese Physics B.2013,(11)
[8]赵珉;刘桂英;陈宝钦;牛洁斌;.电子束零宽度线曝光及其应用[J]微纳电子技术.2013,(02)
[9]赵珉;朱齐媛;陈宝钦;牛洁斌;.新型抗蚀剂的电子束曝光性能研究[J]半导体技术.2013,(06)
[10]赵珉;陈宝钦;牛洁斌;谢常青;刘明;.电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连[J]微纳电子技术.2011,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]谢常青;朱效立;牛洁斌;李海亮;刘明;陈宝钦;胡媛;史丽娜;.微纳光学结构制备技术及应用[A].中国光学学会2011年学术大会摘要集.2011-09-05
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]张满红;刘明;吴金刚;王慰;代月花;陈宝钦;龙世兵;张建宏;王琴;牛洁斌.CTM存储芯片集成技术研究[A].中国科学院微电子研究所.项目经费 541.59万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇
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