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[1]周洁,王永康,孙景兰,卢励吾,吴汲安.氢对硅中4d过渡杂质的钝化[J]电子学报.1994,(05)
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[2]周洁,封松林,卢励吾,司承才,李言谨,胡晓宁.Hg_(1-x)Cd_xTe深缺陷能级研究[J]红外与毫米波学报.1994,(05)
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[3]卢励吾,周洁,封松林,徐俊英,杨辉.MBE和MOCVD生长的AIGaAs/GaAs GRIN—SCH SQW激光器深中心的比较[J]物理学报.1995,(08)
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[4]周洁.锁相放大器用作半导体结电容测量[J]物理.1978,(02)
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[5]魏策军,Dr.W.Bauhofer,周洁,张执中.用简并双模腔测量微波霍耳迁移率[J]半导体学报.1980,(01)
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[6]周洁,王杏华,李树英.硅中金杂质分布的测量[J]半导体学报.1981,(01)
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[7]周洁,李树英,谭飞.Si中Pt的复合行为[J]物理学报.1983,(04)
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[8]阮圣央,周洁,张砚华,吉秀江,郑秉茹,李树英,杨锡权,谭飞.Si:Pd深能级的研究[J]半导体学报.1984,(03)
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[9]高小平,周洁,许振嘉.Ⅲ、Ⅴ族杂质对硅中热施主性质的影响[J]半导体学报.1986,(01)
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[10]高小平,周洁,许振嘉.肖特基二极管导纳的研究及其在能级测量中的应用[J]半导体学报.1986,(04)
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