学者知网节

中国期刊全文数据库 共找到32篇

[1]李志东;肖红领;王晓亮;王翠梅;邓庆文;井亮;丁杰钦;王占国;侯洵;.The Growth and Fabrication of InGaN/GaN Multi-Quantum Well Solar Cells on Si(111)Substrates[J]Chinese Physics Letters.2013,(06)

[2]崔磊;王权;王晓亮;肖红领;王翠梅;姜丽娟;冯春;殷海波;巩稼民;李百泉;王占国;.A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor[J]Chinese Physics Letters.2015,(05)

[3]刘侍明;肖红领;王权;闫俊达;占香蜜;巩稼民;王晓亮;王占国;.In_xGa_(1-x)N/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells with Conversion Efficiency of 3.77%[J]Chinese Physics Letters.2015,(08)

[4]闫俊达;王权;王晓亮;肖红领;姜丽娟;殷海波;冯春;王翠梅;渠慎奇;巩稼民;张博;李百泉;王占国;侯洵;.Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/AlN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors[J]Chinese Physics Letters.2015,(12)

[5]徐健凯;姜丽娟;王茜;王权;肖红领;冯春;李巍;王晓亮;.Effect of nitrogen gas flow and growth temperature on extension of GaN layer on Si[J]Chinese Physics B.2021,(11)

[6]梅书哲;王权;郝美兰;徐健凯;肖红领;冯春;姜丽娟;王晓亮;刘峰奇;徐现刚;王占国;.Flow Field and Temperature Field in GaN-MOCVD Reactor Based on Computational Fluid Dynamics Modeling[J]Chinese Physics Letters.2018,(09)

[7]占香蜜;郝美兰;王权;李巍;肖红领;冯春;姜丽娟;王翠梅;王晓亮;王占国;.Highly Sensitive Detection of Deoxyribonucleic Acid Hybridization Using Au-Gated AlInN/GaN High Electron Mobility Transistor-Based Sensors[J]Chinese Physics Letters.2017,(04)

[8]占香蜜;王权;王琨;李巍;肖红领;冯春;姜丽娟;王翠梅;王晓亮;王占国;.Fast Electrical Detection of Carcinoembryonic Antigen Based on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Aptasensor[J]Chinese Physics Letters.2017,(09)

[9]王保柱;张秀清;张奥迪;周晓然;Bahadir Kucukgok;Na Lu;肖红领;王晓亮;Ian T.Ferguson;.金属有机物化学气相沉积生长GaN薄膜的室温热电特性研究[J]物理学报.2015,(04)

[10]崔磊;殷海波;姜丽娟;王权;冯春;肖红领;王翠梅;巩稼民;张波;李百泉;王晓亮;王占国;.The influence of Fe doping on the surface topography of GaN epitaxial material[J]Journal of Semiconductors.2015,(10)

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中国重要会议全文数据库 共找到9篇

[1]魏萌;王晓亮;潘旭;李建平;刘宏新;肖红领;王翠梅;李晋闽;王占国;.高温AlGaN缓冲层的厚度对Si(111)基GaN外延层的影响[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[2]殷海波;王晓亮;胡国新;冉军学;张露;肖红领;李晋闽;.MOCVD生长Mg掺杂p型GaN薄膜材料的研究[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[3]冉军学;胡国新;肖红领;殷海波;张露;王晓亮;李晋闽;.7片2英寸氮化物MOCVD设备及材料研制[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[4]冉军学;王晓亮;胡国新;张露;殷海波;肖红领;李晋闽;.GaN MOCVD控制系统设计与研制[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[5]殷海波;王晓亮;冉军学;胡国新;肖红领;王翠梅;杨翠柏;李晋闽;侯洵;.MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[6]冯春;王晓亮;杨翠柏;肖红领;王翠梅;侯奇峰;马泽宇;王军喜;李晋闽;王占国;侯洵;.AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[7]姜丽娟;王晓亮;王翠梅;肖红领;冉军学;李晋闽;王占国;侯洵;.过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[8]王晓亮;陈堂胜;唐健;肖红领;王翠梅;李晋闽;王占国;侯洵;.SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[9]肖红领;王晓亮;张明兰;马志勇;王翠梅;杨翠柏;唐健;冉军学;李晋闽;王占国;侯洵;.AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

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承担国家科研项目 共找到2个

[1]肖红领;.高铟组分InGaN/InGaN P-N结制备及相关物理问题研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 34万元.2006-03-27.资助文献数 2 篇

[2]刘新宇;王晓亮;郑英奎;肖红领;魏珂;王翠梅.毫米波GaN功率器件和电路研究[A].中国科学院半导体研究所;中国科学院微电子研究所.项目经费 265.6万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇

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【姓名】	肖红领
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;金属学及金属工艺;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】	RF-MBE,外延膜,蓝宝石衬底,氮化,AlGaN/GaN,高电子迁移率管,MOCVD,功率器件,碳化硅衬底,铟铝镓氮,RHEED,XRD,AFM,单晶,晶体质量,摇摆曲线,卢瑟福背散射,外延生长,射...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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