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刘祥林

【姓名】	刘祥林
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】	GaN基蓝绿光材料的MOCVD生长和GaN基蓝绿光发光二极管的研究
【发表文献关键词】	量子点,GaN,声表面波速度,机电耦合系数,InGaN,AlInGaN,声表面波,叉指,发光,局域激子,诱导生长,光学特性,低温法,半导,科学实验室,MOCVD,体材料,局域态,铟聚集,生长,InGa...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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中国期刊全文数据库 共找到48篇

[1]李亚洲;马占红;姚威振;杨少延;刘祥林;李成明;王占国;.MOCVD载气流量对GaN外延生长的影响[J]人工晶体学报.2025,(06)

[2]牛慧丹;孔苏苏;杨少延;刘祥林;魏鸿源;姚威振;李辉杰;陈庆庆;汪连山;王占国;.温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理（英文）[J]发光学报.2021,(11)

[3]谷承艳;刘贵鹏;时凯;宋亚峰;李成明;刘祥林;杨少延;朱勤生;王占国;.Spacer layer thickness fluctuation scattering in a modulation-doped Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As quantum well[J]Chinese Physics B.2012,(10)

[4]王建霞;杨少延;王俊;刘贵鹏;李志伟;李辉杰;金东东;刘祥林;朱勤生;王占国;.Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in Al_xGa_(1-x)N/GaN quantum wells[J]Chinese Physics B.2013,(07)

[5]宋亚峰;吕燕伍;文伟;刘祥林;杨少延;朱勤生;王占国;.Plasmons in a free-standing nanorod with a two-dimensional parabolic quantum well caused by surface states[J]Chinese Physics B.2012,(05)

[6]谷承艳;李成明;刘祥林;.Design of a three-layer hot-wall horizontal flow MOCVD reactor[J]半导体学报.2012,(09)

[7]王振华;杨安丽;刘祥林;魏鸿源;焦春美;朱勤生;杨少延;王占国;.MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响(英文)[J]人工晶体学报.2010,(01)

[8]胡卫国;魏鸿源;焦春美;康亭亭;张日清;刘祥林;.用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶(英文)[J]半导体学报.2007,(10)

[9]蔡芳芳;魏鸿源;范海波;杨安丽;张攀峰;刘祥林;.载气流量对氧化锌纳米棒阵列的影响(英文)[J]人工晶体学报.2008,(06)

[10]陈振,韩培德,陆大成,刘祥林,王晓晖,李昱峰,袁海荣,陆沅,黎大兵,王秀凤,朱勤生,王占国.钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性[J]发光学报.2003,(02)

中国重要会议全文数据库 共找到8篇

[1]万寿科;卢励吾;陈廷杰;陆大成;刘祥林;王占国;.InGaN的光致发光研究[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13

[2]贾彩虹;陈涌海;周晓龙;刘根华;郭严;刘祥林;杨少延;王占国;.SrTiO3衬底上MOCVD生长InN外延薄膜[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[3]刘祥林;汪连山;陈振;袁海荣;陆大成;王晓晖;汪度;.硅衬底上生长氮化镓外延材料的研究[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[4]袁海荣;陆大成;刘祥林;陈振;王晓晖;韩培德;汪度;.利用掺In改善初期生长GaN的形貌及光学性质[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[5]陈振;刘祥林;王晓晖;陆大成;袁海荣;韩培德;汪度;王占国;.(1102)面蓝宝石衬底上生长氮化镓研究[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[6]陆沅;刘祥林;陆大成;袁海荣;陈振;王晓晖;王占国;.采用超薄AlN润湿层在Si(111)衬底上生长GaN的特性研究[A].2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01

[7]黎大兵;董逊;黄劲松;刘祥林;徐仲英;王晓晖;王占国;.铟铝镓氮四元合金薄膜的生长和性能研究[A].2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01

[8]胡桂青;孔翔;王乙潜;万里;段晓峰;陆沅;刘祥林;.(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察[A].第十二届全国电子显微学会议论文集.2002-08-01

承担国家科研项目 共找到2个

[1]刘祥林;.硅基无应变InGa(Al)N/InGaAlN量子阱的研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 21万元.2003-03-31.资助文献数 0 篇

[2]刘祥林;.γ-Al2O3/Si复合衬底上氮化镓外延材料的生长[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 14.9万元.1999-03-31.资助文献数 4 篇