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γ-Al2O3/Si复合衬底上氮化镓外延材料的生长
γ-Al2O3/Si复合衬底上氮化镓外延材料的生长
【项目名称】 γ-Al2O3/Si复合衬底上氮化镓外延材料的生长
【项目编号】 69906002
【项目目标】
【项目关键词】 外延材料 氮化镓 γ-Al2O3 低温法 InGaN 声表面波速度 量子点 GaN薄膜 衬底 机电耦合系数 声表面波 光学特性 叉指换能器 GaN 化学气相外延 材料系 钝化工艺 脉冲法 金属有机物 平均宽度 量子限制效应 红移现象 低温生长 PL谱 零维 尺寸 蓝宝石 高阻 自由表面 温度特性 精?
【项目承办单位】 中国科学院半导体研究所;
【项目负责人】 刘祥林;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 物理学
【科研经费】 14.9万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 1999-01-16
    【申请截止时间】 1999-03-31
    【立项时间】 2000-01
    【完成时间】 2002-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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