李国华
【姓名】 李国华
【职称】 研究员;
【研究领域】 物理学;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】 半导体光学性质的研究
【发表文献关键词】 Te等电子陷阱,纳米硅晶粒,掺杂,nc-Si,ZnS∶Te,择优生长,微晶硅薄膜,流体静压,纳米粒子,Si异质结,变容二极管,生长机制,光致发光,等电子中心,电场,热丝化学气相沉积,时间分辨光谱,半导...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到91篇
[1]崔敏;张维佳;钟立志;吴小文;王天民;李国华;.高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池[J]电子元件与材料.2006,(04)
[2]马宝珊;王文杰;苏付海;邓加军;蒋春萍;刘海林;丁琨;赵建华;李国华;.GaMnAs的Raman光谱研究[J]红外与毫米波学报.2006,(03)
[3]李国华;马宝珊;王文杰;苏付海;丁琨;赵建华;邓加军;蒋春萍;.GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究[J]光散射学报.2006,(02)
[4]张心强;张维佳;武美伶;贾士亮;刘浩;李国华;.纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池[J]功能材料.2007,(10)
[5]方再利,苏付海,马宝珊,刘南竹,朱作明,丁琨,韩和相,李国华,葛惟锟,苏萌强.ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱[J]半导体学报.2003,(04)
[6]钮金真,李国华.利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性[J]半导体学报.2003,(10)
[7]韦文生,王天民,张春熹,李国华.掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长[J]北京航空航天大学学报.2003,(09)
[8]章继东,陈京好,邓元明,安龙,章昊,杨富华,李国华,郑厚植.静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究[J]光谱学与光谱分析.2003,(02)
[9]马宝珊,方再利,苏付海,丁琨,韩和相,李国华,arklamy de la Chapelle,范守善.纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒拉曼光谱研究[J]红外与毫米波学报.2003,(01)
[10]韦文生,王天民,张春熹,李国华,韩和相,丁琨.掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长[J]功能材料与器件学报.2003,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到11篇
[1]马宝珊;苏付海;王文杰;丁琨;李国华;赵建华;邓加军;蒋春萍;.GaMnAs合金的Raman光谱研究[A].第十三届全国光散射学术会议论文摘要集.2005-10-24
[2]马宝珊;方再利;苏付海;丁琨;韩和相;李国华;M.lamy de la Chapelle;范守善;.纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒的拉曼光谱研究[A].第十二届全国光散射学术会议论文摘要集.2003-10-26
[3]韩和相;汪兆平;赵学恕;李国华;涂相征;.Ⅲ-Ⅴ族化合物混晶半导体材料的拉曼光谱[A].全国第三届光散射学术会议论文摘要.1985-11-10
[4]韩和相;李国华;葛维琨;谢思深;王炳燊;苏肇冰;.纳米碳管光荧光的实验与理论研究[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01
[5]韦文生;王天民;张春熹;李国华;韩和相;丁琨;.掺杂nc-Si:H薄膜应力特性的研究[A].2002年材料科学与工程新进展(下)——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01
[6]韩和相;汪兆平;李国华;赵学恕;向贤碧;.掺氧液相外延GaAs的喇曼光谱[A].第二届全国光散射学术会议论文集(上).1983-10-01
[7]汪兆平;韩和相;李国华;赵学恕;.氯化和氢化的无定形硅的喇曼谱和红外谱[A].第二届全国光散射学术会议论文集(上).1983-10-01
[8]李国华;赵学恕;韩和相;汪兆平;唐汝明;胡敬竹;.静压下GaP的喇曼散射[A].第二届全国光散射学术会议论文集(上).1983-10-01
[9]韩和相;汪兆平;李国华;王培大;孙慧玲;.掺稀土半导体的喇曼光谱[A].中国物理学会光散射专业委员会成立十周年暨第六届学术会议论文集(上).1991-10-01
[10]江兴流;何宇亮;韩丽君;赵静秋;宋志敏;陈思富;李国华;汪兆平;.纳米硅薄膜及其发光特性[A].第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1995-10-23
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承担国家科研项目    共找到3个
[1]李国华;.与Mn有关的半导体的光学性质研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 22万元.2004-03-31.资助文献数 3
[2]李国华;.用压力光谱研究等电子中心与混晶带隙异常弯曲的关系[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 19万元.2001-03-31.资助文献数 0
[3]李国华;.半导体低维结构的压力光谱研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 18万元.2000-03-31.资助文献数 2
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