方再利
【姓名】 方再利
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】 半导体光学性质的研究
【发表文献关键词】 压力,Te等电子陷阱,纳米棒,ZnSe,GaP,光致发光,镓氮砷,量子阱,偏振特性,拉曼光谱,ZnS∶Te,压力行为,光峰,发光谱,GaNAs,量子点,压光,纳米粒子,压力光谱,凝聚态物理学,压力系数...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]方再利,苏付海,马宝珊,刘南竹,朱作明,丁琨,韩和相,李国华,葛惟锟,苏萌强.ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱[J]半导体学报.2003,(04)
[2]马宝珊,方再利,苏付海,丁琨,韩和相,李国华,arklamy de la Chapelle,范守善.纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒拉曼光谱研究[J]红外与毫米波学报.2003,(01)
[3]方再利,苏付海,马宝珊,丁琨,韩和相,李国华,苏萌强,葛惟锟.静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光[J]红外与毫米波学报.2004,(01)
[4]李国华,陈晔,方再利,马宝珊,苏付海,丁琨.半导体低维结构的压力光谱研究[J]红外与毫米波学报.2005,(03)
[5]马宝珊,王晓东,骆军委,苏付海,方再利,丁琨,牛智川,李国华.大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱[J]红外与毫米波学报.2005,(03)
[6]李国华,方再利,丁琨,韩和相,曾美思,王建农,葛惟锟,潘钟,李联合,吴荣汉.GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究[J]固体电子学研究与进展.2002,(04)
[7]方再利,李国华,韩和相,丁琨,陈晔,彭中灵,袁诗鑫.ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究[J]红外与毫米波学报.2002,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]马宝珊;方再利;苏付海;丁琨;韩和相;李国华;M.lamy de la Chapelle;范守善;.纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒的拉曼光谱研究[A].第十二届全国光散射学术会议论文摘要集.2003-10-26
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