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[1]殷士端,张敬平,顾铨,钟士谦,王振明,谢葆珍,刘世杰.用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布[J]微细加工技术.1983,(01)
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[2]谢葆珍,刘世杰,张敬平,殷士端,顾诠,戴爱平.用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面[J]半导体学报.1984,(01)
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[3]王豫生,阎建华,郑胜男,殷士端,张敬平,顾诠,代爱平,谢葆珍,刘士杰.沟道效应及某些应用的研究[J]核技术.1987,(06)
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[4]殷士端,张敬平,顾诠,许振嘉,刘家瑞,章其初,李大万.Si中注Pb的红外瞬态退火[J]半导体学报.1987,(03)
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[5]殷士端,张敬平,顾诠,许振嘉,刘家瑞,章其初,李大万.Si中注入Zn的辐射损伤[J]半导体学报.1987,(04)
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[6]朱沛然,刘家瑞,张敬平,殷士端.MeV He~+微束用于半导体集成电路的微区分析[J]半导体学报.1987,(06)
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[7]殷士端,张敬平,顾诠,陆珉华.硅中注铅的连续CO_2激光退火行为[J]半导体学报.1987,(06)
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[8]吴春武,殷士端,张敬平,肖光明,刘家瑞,朱沛然.InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应[J]物理学报.1989,(01)
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[9]殷士端,吴春武,张敬平,刘家瑞,朱沛然.In_(0.25 )Ga_(0.75)As/GaAs应变异质结的离子沟道分析[J]半导体学报.1989,(01)
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[10]张瑞勤,王家俭,戴国才,吴汲安,张敬平,邢益荣.Si(113)表面电子结构的研究[J]半导体学报.1989,(09)
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