陈德勇
【姓名】 陈德勇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaAs/InP,量子阱,低压MOCVD,超晶格材料,阱宽,量子尺寸效应,激子能量,材料特性,体材料,InGaAs,光致发光谱,合金组分,低温光致发光,激子谱,测试分析,激子,材料薄膜,电子浓度,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]朱龙德,李晶,陈德勇,熊飞克.InGaAs/InP体材料和量子阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析[J]半导体学报.1993,(04)
[2]陈德勇,朱龙德,李晶,熊飞克,徐俊英,万寿科,梁骏吾.低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析[J]半导体学报.1993,(06)
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