余学功
【姓名】 余学功
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;化学;
【研究方向】 大直径直拉硅单晶中微缺陷的研究
【发表文献关键词】 直拉硅,原生氧沉淀,钝化,氧沉淀,少子寿命,空洞型缺陷,氢退火,掺氮,氧外扩散,空位,热氧化法,重掺硼,快速热处理,少数载流子,硅单晶,热氧化,重掺直拉硅,氧,清洁区,内吸杂,氢气退火,直拉硅单晶,大...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 浙江杭州
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[6]林文杰;王皓正;余学功;王永谦;邱开富;.p型TOPCon晶体硅太阳电池局域硼重掺杂发射极的光电性能研究[J]太阳能学报.2025,(06)
[7]刘见华;袁振军;常欣;赵喜哲;万烨;余学功;杨德仁;.硅基前体在先进集成电路制造中的应用与技术进展[J]化工进展.2025,(09)
[8]何其圆;胡泽晨;余学功;杭鹏杰;宋立辉;林德杭;杨黎飞;杨德仁;.非晶硅/晶体硅异质结太阳电池中的光致增强现象（英文）[J]Science China(Materials).2022,(12)
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[10]黄稳;杭鹏杰;杨德仁;余学功;李兴鳌;.自整流效应的忆阻器用于类脑计算（英文）[J]Science Bulletin.2022,(12)
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[1]余学功;Jiangsheng Xie;Pengjie Hang;Can Cui;Deren Yang;.钙钛矿太阳电池的界面工程（英文）[A].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019-05-25
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[7]余学功;杨德仁;.铸造单晶硅的生长和缺陷研究[A].第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器件及应用.2012-10-21
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[2]余学功.铸造多晶硅中杂质和缺陷的电学性能研究[A].浙江大学.项目经费 3.6万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇
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