傅兴华
【姓名】 傅兴华
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 半导体器件数值模型、集成电路、超导材料电子学等领域的研究
【发表文献关键词】 杂质浓度,CV数据,逐点反求多次循环算法,阶跃分布,cv特性,硅双极型集成电路,硅锗异质结,异质结双极型晶体管(HBT),绝缘介质上硅膜(SOI),杂质分布,高温超导,薄膜,多层布图布线,超导薄膜,流...
【工作单位】 贵州大学
【曾工作单位】 贵州大学;
【所在地域】 贵州贵阳
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[1]林洁馨;杨发顺;马奎;丁召;傅兴华;.三维功率MOSFET器件的热可靠性设计[J]现代电子技术.2019,(12)
[2]周章渝;肖寒;王松;张青竹;王代强;陈雨青;傅兴华;.MgB_2/Mo多层膜的制备与超导性质[J]稀有金属材料与工程.2019,(08)
[3]林洁馨;杨发顺;马奎;唐昭焕;傅兴华;.三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法[J]现代电子技术.2016,(24)
[4]周章渝;肖寒;王松;傅兴华;闫江;.Al_2O_3(0001)基底MgB_2/B/MgB_2多层膜的制备及性质[J]低温物理学报.2016,(05)
[5]周章渝;侯雪;杨晓玲;陈会;王松;卢海秋;肖植芬;傅兴华;.MgB_2/Ta多层膜的制备及性质[J]低温物理学报.2016,(06)
[6]唐昭焕;杨发顺;马奎;谭开洲;傅兴华;.功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展[J]微电子学.2017,(03)
[7]王松;马奎;周章渝;杨发顺;杨健;王代强;傅兴华;.热处理工艺对MgB_2超导薄膜制备和表面形貌的影响[J]低温与超导.2017,(10)
[8]王松;王星云;周章渝;杨发顺;杨健;傅兴华;.硼膜制备工艺、微观结构及其在硼化镁超导约瑟夫森结中的应用[J]物理学报.2016,(01)
[9]王星云;杨晨;王松;傅兴华;.基于Multisim的超导RSFQ电路仿真研究[J]重庆工商大学学报(自然科学版).2016,(03)
[10]赵朋;林洁馨;傅兴华;.三维集成电路硅通孔热特性的COMSOL模型[J]唐山学院学报.2016,(03)
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]傅兴华;.硼化镁超导多层膜的双加热器原位气相化学沉积方法研究[A].贵州大学;.项目经费 25万元.2004-03-31.资助文献数 2 篇
[2]傅兴华;.高温超导多层薄膜布图技术研究[A].贵州大学;.项目经费 17万元.2001-03-31.资助文献数 0 篇
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