李炳宗
【姓名】 李炳宗
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 半导体工艺、金属硅化物等薄膜材料和器件技术研究
【发表文献关键词】 氧化钒,固相外延,金属硅化物,W-Si-N,辐射热计,扩散阻挡层,溅射,电阻温度系数,固相反应,微测,氧化钒薄膜,CoSi,铜互连,金属诱导结晶,非晶,固相结晶,晶格失配,外延生长,薄膜制备,锗硅,T...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海中国
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[2]蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;.NiSi/Si界面的剖面透射电镜研究(英文)[J]半导体学报.2006,(02)
[3]王光伟;茹国平;张建民;曹继华;李炳宗;.溅射SiGe薄膜及其等时等温退火效应[J]半导体学报.2006,(05)
[4]武慧珍;茹国平;张永刚;金成国;水野文二;蒋玉龙;屈新萍;李炳宗;.电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结[J]半导体学报.2006,(11)
[5]武慧珍;茹国平;黄魏;蒋玉龙;屈新萍;李炳宗;.反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结[J]复旦学报(自然科学版).2007,(01)
[6]黄巍;茹国平;Detavernier C;Van Meirhaeghe R L;蒋玉龙;屈新萍;李炳宗;.掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响(英文)[J]半导体学报.2007,(05)
[7]王光伟;屈新萍;茹国平;郑宏兴;李炳宗;.LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性[J]微电子学.2007,(02)
[8]屈新萍,徐蓓蕾,茹国平,李炳宗,W.Y.Cheung,S.P.Wong,Paul K.Chu.Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2[J]半导体学报.2003,(01)
[9]陆华,屈新萍,王光伟,茹国平,李炳宗.超薄W-Si-N作为铜与硅之间的扩散阻挡层[J]半导体学报.2003,(06)
[10]徐蓓蕾,屈新萍,韩永召,茹国平,李炳宗,W.Y.Cheung,S.P.Wong,PaulK.Chu.Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
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