杜刚
【姓名】 杜刚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;电力工业;
【研究方向】 半导体新结构新器件模型和模拟研究
【发表文献关键词】 阈值电压,蒙特卡罗器件模拟,金属-半导体接触,工艺因素,统计增强方法,优化设计,Schottky效应,实验设计,直接隧穿,响应表面,模型公式,TCAD工具,电路参数,肖特基势垒,BSIM3,优化设,参...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到32篇
[1]胡远钊;杜刚;杨燚;赵钰迪;赵凯;.面向纳米尺度金属互连线的蒙特卡洛模拟方法研究[J]北京大学学报(自然科学版).2022,(02)
[2]张先乐;常鹏鹰;杜刚;刘晓彦;.Role of remote Coulomb scattering on the hole mobility at cryogenic temperatures in SOI p-MOSFETs[J]Chinese Physics B.2020,(03)
[3]李金培;杜刚;刘力锋;刘晓彦;.InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟[J]北京大学学报(自然科学版).2020,(06)
[4]沈磊;刘力桥;郝好;杜刚;刘晓彦;.Time-dependent crosstalk effects for image sensors with different isolation structures[J]Chinese Physics B.2018,(08)
[5]邸绍岩;沈磊;伦志远;常鹏鹰;赵凯;卢朓;杜刚;刘晓彦;.Investigation of the surface orientation influence on 10-nm double gate GaSb nMOSFETs[J]Chinese Physics B.2017,(04)
[6]伦志远;李云;赵凯;杜刚;刘晓彦;王漪;.Modeling of trap-assisted tunneling on performance of charge trapping memory with consideration of trap position and energy level[J]Chinese Physics B.2016,(08)
[7]刘晓彦;杜刚;.面向16纳米及以下技术代的工艺、器件与电路建模和模拟2013年度报告[J]科技创新导报.2016,(09)
[8]陈键;杜刚;刘晓彦;.Threshold switching uniformity in In_2Se_3 nanowire-based phase change memory[J]Chinese Physics B.2015,(05)
[9]王泰寰;伦志远;矫亦朋;刘晓彦;杜刚;.电荷俘获存储器界面缺陷生长模型及其可靠性模拟[J]北京大学学报(自然科学版).2014,(04)
[10]黄鹏;王源;杜刚;张钢刚;康晋锋;.适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器[J]北京大学学报(自然科学版).2014,(04)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]杜刚;刘晓彦;孙雷;韩汝琦;.50nm肖特基隧穿晶体管(SBTT)特性模拟[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01
[2]刘晓彦;孙雷;杜刚;韩汝琦;.肖特基隧道晶体管中的量子效应[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]杜刚;.纳米级MOSFET器件中的准弹道输运效应研究[A].北京大学;.项目经费 24万元.2006-03-27.资助文献数 2 篇
[2]康晋锋;王阳元;张兴;张耿民;潘华勇;杜刚;王源.纳米尺度CTM存储电路设计及模型模拟研究[A].北京大学.项目经费 209.84万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇
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