| 【项目目标】 |
【研究目标】
解决高密度多值存储相关的系统构架、灵敏放大读取及检测纠错等共性电路设计问题，设计并试制可供器件验证的阵列电路及试验电路。建立适于纳米尺度CTM器件的模型和模拟软件，为新一代EDA软件的发展奠定基础。发展的器件模拟软件将面向高k俘获层材料、栅介质材料等多种材料和结构，能够模拟计入量子效应的、涉及介质层与半导体的异质界面间载流子输运以及缺陷对电荷的俘获与释放的器件模拟程序；采用并行计算方法，具有友好的用户界面，便于使用和推广。
【研究主要内容】
1.在电路模拟的基础上，研究实现高速、高密度、低功耗目标的读写驱动电路、动态电压技术和灵敏放大技术，实现存储的有效操作；从降低外围电路面积和增加存储密度的角度优化设计。
2.针对因工艺精度引起的存储单元阈值电压分散而导致误操作的问题，从设计上提出可靠性设计方法，完成CTM存储阵列一致性设计，为CTM芯片研制提供优化设计方案。
3.研究量子约束效应、隧穿效应等效应，发展能够同时模拟存在热载流子输运、直接隧穿、FN隧穿、缺陷辅助隧穿等多种载流子输运机制的模拟方法和相应程序。
4.研究陷阱对电荷的俘获与释放过程的机理与物理模型，发展新型的基于电荷的统计算法，发展能够模拟缺陷对电荷的俘获与释放?009-01-21 |