李肇基
【姓名】 李肇基
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;物理学;
【研究方向】 新型功率MOS器件和智能功率电路、CAD等研究
【发表文献关键词】 击穿电压,super junction,LDMOST,衬底辅助耗尽,n+-浮空层,超级结,LDMOS,衬底辅助耗尽效应,新结构,4H-SiC MESFET,表面陷阱,直流特性,栅延迟,横向,高阻,陷阱...
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;成都电讯工程学院;
【所在地域】 成都
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中国期刊全文数据库    共找到141篇
[1]王骁玮;罗小蓉;尹超;范远航;周坤;范叶;蔡金勇;罗尹春;张波;李肇基;.高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计[J]物理学报.2013,(23)
[2]郭海燕;张波;李肇基;.扩频DC/DC变换器的纹波分析[J]电力电子技术.2009,(06)
[3]罗小蓉;张波;李肇基;唐新伟;.部分局域电荷槽SOI高压器件新结构[J]半导体学报.2006,(01)
[4]罗萍;李肇基;余磊;张波;.一种基于负电阻的高输出阻抗的电流源(英文)[J]半导体学报.2006,(03)
[5]张波;段宝兴;李肇基;.具有n~+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析[J]半导体学报.2006,(04)
[6]曾家玲;王顺平;甄少伟;罗萍;李肇基;.基于PSM调制方式的双环控制电路的设计[J]微电子学.2006,(02)
[7]方健;蒋华平;乔明;张波;李肇基;.局域寿命控制NPT-IGBTs稳态模型[J]半导体学报.2006,(05)
[8]罗小蓉;李肇基;张波;.可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性[J]半导体学报.2006,(05)
[9]段宝兴;张波;李肇基;.双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析[J]半导体学报.2006,(05)
[10]李琦;李肇基;张波;.薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型[J]固体电子学研究与进展.2006,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到13篇
[1]罗小蓉;张波;李肇基;.SiC肖特基二极管的特性研究[A].展望新世纪——’02学术年会论文集.2002-04-01
[2]周蓉;胡思福;李肇基;张庆中;.双极功率器件中的深槽隔离[A].展望新世纪——’02学术年会论文集.2002-04-01
[3]郭永芳;郭宇锋;李肇基;方健;朱刚;.具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理[A].展望新世纪——’02学术年会论文集.2002-04-01
[4]武洁;方健;李肇基;.单晶扩散型LDMOS特性分析[A].展望新世纪——’02学术年会论文集.2002-04-01
[5]罗卢杨;罗萍;季晓宇;李肇基;杨舰;.开关型DC-DC变换器的跨周期调制[A].展望新世纪——’02学术年会论文集.2002-04-01
[6]郭永芳;郭宇锋;李肇基;方健;朱刚;.具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[7]武洁;方健;李肇基;.单晶扩散型LDMOS特性分析[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[8]罗小蓉;张波;李肇基;.SiC肖特基二极管的特性研究[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[9]罗卢杨;罗萍;季晓宇;李肇基;杨舰;.开关型DC-DC变换器的跨周期调制[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[10]罗卢杨;罗萍;季晓宇;李肇基;杨舰;.开关型DC-DC变换器的跨周期调制[A].四川省电工技术学会第七届学术年会论文集.2003-05-01
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承担国家科研项目    共找到3个
[1]李肇基;.单片功率系统集成（PSoC）的基础理论和技术研究[A].电子科技大学;.项目经费 180万元.2004-03-31.资助文献数 44 篇
[2]李肇基;.高压SOI复合结构耐压层击穿机理[A].电子科技大学;.项目经费 14万元.2002-03-31.资助文献数 15 篇
[3]李肇基;.SOI高压横向电导调制器件的He生微孔局域寿命控制[A].电子科技大学;.项目经费 17万元.2000-03-31.资助文献数 7 篇
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