杜国同
【姓名】 杜国同
【职称】 教授;
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 半导体光电子学和有机光电子学的研究工作
【发表文献关键词】 激发极化,时间谱,ZnO薄膜,驰豫,带谱,IGBT,渗透率,绝缘栅,功率VDMOSFET,双极晶体管,功率MOSFET,有机半导体,酞菁,测井,光荧光,光电压,功率器件,驰豫时间,VDMOSFET,分...
【工作单位】 吉林大学
【曾工作单位】 吉林大学;大连理工大学;
【所在地域】 吉林长春
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[4]常玉春;余昭杰;李靖;曹令今;李强;杜国同;.基于建立-向下偏转过程11-bit 1-MS/s逐次逼近型模数转换器的设计[J]吉林大学学报(工学版).2013,(02)
[5]杨德超;梁红伟;邱宇;宋世巍;申人升;柳阳;夏晓川;俞振南;杜国同;.衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响[J]发光学报.2013,(03)
[6]柯昀洁;梁红伟;申人升;宋世巍;夏晓川;柳阳;张克雄;杜国同;.喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响[J]发光学报.2013,(04)
[7]宋世巍;柳阳;梁红伟;夏小川;张克雄;杨德超;杜国同;.低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)[J]发光学报.2013,(06)
[8]宋世巍;梁红伟;申人升;柳阳;张克雄;夏晓川;杜国同;.SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响(英文)[J]发光学报.2013,(08)
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[10]许露;梁红伟;刘远达;李春野;冯秋菊;柳阳;李国兴;杜国同;.Cu掺杂ZnO的光致发光光谱[J]材料导报.2011,(03)
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[3]管和松;李万成;高福斌;吴国光;夏小川;杜国同;.As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[4]宋俊峰;常玉春;王海嵩;许武;王立军;杜国同;.光子晶体光波导传输特性研究[A].Photonic Crystal (Ⅱ)--Proceedings of CCAST (World Laboratory) Workshop.2001-08-01
[5]童茂松;王伟男;范清华;杜国同;.岩石激发极化驰豫时间谱研究[A].中国地球物理.2003——中国地球物理学会第十九届年会论文集.2003-10-01
[6]孙剑;杨天鹏;徐艺滨;白亦真;王新胜;杜国同;.自持金刚石厚膜上沉积ZnO薄膜的研究[A].TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2005-09-01
[7]孙剑;杨天鹏;白亦真;徐艺滨;王新胜;杜国同;.自持金刚石厚膜上沉积ZnO薄膜的研究[A].全国薄膜技术学术研讨会论文集.2006-09-01
[8]申人升;闫卫平;张玉书;杨健;杜国同;.用于石油测井的光纤光栅应力和温度传感器的研究[A].中国光学学会2006年学术大会论文摘要集.2006-09-01
[9]时宝;殷景志;李龙海;高福斌;纪永成;杜国同;金亿鑫;.材料参数对InGaAs红外探测器ROA影响的研究[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
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[2]杜国同;.稳定高效的ZnOp型掺杂与生长设备、可控技术及测试方法研究[A].吉林大学;.项目经费 110万元.2005-10-30.资助文献数 15
[3]杜国同;.MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制[A].吉林大学;.项目经费 24万元.2001-03-31.资助文献数 12
[4]杜国同;.垂直腔面发射激光器的纵模行为研究[A].吉林大学;.项目经费 16万元.2000-03-31.资助文献数 0
[5]杜国同.ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究[A].吉林大学.项目经费 44万元.2009-03-20.资助文献数 0
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