刘忠立
【姓名】 刘忠立
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;计算机硬件技术;
【研究方向】 先进半导体器件和电路研究
【发表文献关键词】 SIMOX,体接触,部分耗尽,耗尽型,MOSFET,注氮工艺,辐射硬度,绝缘体上硅,浮体效应,埋氧层,SOI器件,电特性,CMOS模拟电路,Kink效应,氮注入,SIMON,模拟电路,仿真模型,氧氮,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到84篇
[1]刘忠立;.纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应[J]太赫兹科学与电子信息学报.2016,(06)
[2]刘忠立;赵凯;.FD-SOI的优点及在中国发展的机遇[J]微处理机.2015,(02)
[3]李振涛;于芳;刘忠立;赵凯;高见头;杨波;李宁;.SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟[J]信息与电子工程.2011,(06)
[4]张倩莉;于芳;刘忠立;李艳;陈亮;李明;郭旭峰;.结合用户约束文件的高效多FPGA系统分割方法[J]哈尔滨工业大学学报.2012,(07)
[5]刘忠立;.硅微电子工业的发展限制及对策[J]微电子学.2009,(04)
[6]赵凯;高见头;杨波;李宁;于芳;刘忠立;肖志强;洪根深;.用SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力[J]信息与电子工程.2010,(01)
[7]郭源生;刘忠立;.基于MEMS工艺技术的无线网络压力传感器芯片设计及应用研究[J]电子技术应用.2010,(07)
[8]肖志强;洪根深;张波;刘忠立;.抗总剂量辐射0·8μmSOI CMOS器件与专用集成电路(英文)[J]半导体学报.2006,(10)
[9]郑中山;张恩霞;刘忠立;张正选;李宁;李国花;.SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响[J]物理学报.2007,(09)
[10]段会福;于芳;陈陵都;刘忠立;.平台式FPGA中可重构存储器模块的设计[J]微计算机信息.2008,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]刘忠立;.硅微电子工业的发展状态、限制、对策及辐射加固的考虑[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[2]赵凯;高见头;杨波;李宁;于芳;刘忠立;肖志强;洪根深;.CMOS SOI SRAM电路的抗单粒子能力研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[3]田静;汪承灏;徐联;何世堂;李晓东;刘忠立;.硅微传声器[A].中国声学学会2002年全国声学学术会议论文集.2002-09-01
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]于芳;刘忠立;韩伟华;刘思敏;王春霞;王晓峰;宁瑾;赵永梅;黄亚军;潘岭峰;归强.纳米器件制备工艺创新与应用基础研究[A].中国科学院半导体研究所;南开大学.项目经费 283.92万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇
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