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MgO-(MgO/Zn)叠层薄膜二次电子发射特性研究

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【作者】 苏越； 吴胜利； 胡文波； 李洁； 褚旭铭；

【机构】 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室电子科学与工程学院；

【摘要】 MgO薄膜因其绝缘性能使得长时间粒子轰击下会产生表面电荷积累,从而导致其二次电子发射系数衰减,使其难以满足真空电子器件对高增益和长寿命日益增长的需求。不同元素的掺杂或复合从而衍生的各种氧化物薄膜可以优化二次电子发射性能,薄膜结构的修改也可以一定程度上改善二次电子发射性能。本文主要研究MgO-(MgO/Zn)叠层薄膜的二次电子发射性能,并通过Au的掺杂提高了其二次电子发射性能。进一步研究了Au掺杂前后对薄膜表面的形貌影响。研究表明Au的掺杂有利于晶粒的生长和薄膜导电性的增强,从而提高二次电子发射性能。

【关键词】 二次电子发射； 掺杂； MgO薄膜； 叠层薄膜；
【基金】 国家自然科学基金项目(U2241207,52002313);国家重点研发计划项目(2021YFF0700800,2021YFF0700600)
  • 【会议录名称】 第二十二届真空电子学学术年会论文集
  • 【会议名称】第二十二届真空电子学学术年会
  • 【会议时间】2024-05-09
  • 【会议地点】中国广东广州
  • 【分类号】O462.2
  • 【主办单位】中国电子学会
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