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含裂纹缺陷的铁单质薄膜磁致伸缩的分子动力学模拟
【机构】 北京工业大学理学部；
【摘要】 磁致伸缩材料在传感器、位移器件、声学和磁学领域应用前景广阔,对此类材料的性能提升已成为研究热点,但材料在制备与使用过程中,不可避免会出现缺陷。本文以常用的铁磁性材料铁单质薄膜为研究对象,利用LAMMPS软件对含不同裂纹缺陷距离的铁单质薄膜进行分子动力学模拟,研究裂纹的方向和缺陷间的距离对铁单质薄膜的磁致伸缩性能的影响,并分析其微观机理。
- 【会议录名称】 北京力学会第二十八届学术年会论文集（上）
- 【会议名称】北京力学会第二十八届学术年会
- 【会议时间】2022-01-08
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】O482.54;O346.1
- 【主办单位】北京力学会