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活性三氧化二铝的改性与氢同位素分离性能
【作者】 王伟伟； 任兴碧； 夏立东； 李海容； 张伟光； 周晓松；
【机构】 中国工程物理研究院核物理与化学研究所；
【摘要】 <正>通过浸渍-干燥方法制备获得了不同含量氯化锰修饰的活性三氧化二铝,并采购了氯化物及硫酸盐修饰的活性三氧化二铝PLOT柱。通过低温色谱分析实验发现,修饰物种类及含量对材料的氢同位素分离性能有显著影响。硫酸盐修饰PLOT柱分离度好于氯化物修饰PLOT柱分离度,60米硫酸盐PLOT柱获得正氕与氕化氘的分离度R（o-H2,HD）=2.0。氯化锰含量对分离性能影响显著,Mn%=8.9wt%,17.4wt%,30.2wt%时,氕气与氕化氘分离度R(H2,
- 【会议录名称】 第二届中国氚科学与技术学术交流会论文集
- 【会议名称】第二届中国氚科学与技术学术交流会
- 【会议时间】2017-08-24
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】TQ122
- 【主办单位】中国化学会、中国工程物理研究院表面物理与化学重点实验室