【作者】 赵杰； 刘宁； 张永亮； 吴强； 王喜章； 胡征；

【Author】 Jie Zhao;Ning Liu;Yongliang Zhang;Qiang Wu;Xizhang Wang;Zheng Hu;Key Laboratory of Mesoscopic Chemistry of MOE,School of Chemistry and Chemical Engineering,Nanjing University;

【机构】 介观化学教育部重点实验室南京大学化学化工学院；

【摘要】 AlN具有小（甚至负）的电子亲和势,其一维纳米结构在场发射领域具有潜在应用^[1]。但是,AlN的场发射性能受到导电性、屏蔽效应等因素的显著影响^[2,3]。本工作利用AlCl₃与NH₃的化学反应,以SiH₄或MgCl₂为掺杂剂,通过化学气相沉积法制备了Si或Mg掺杂的AlN纳米锥,并用Mo网作掩膜使其图案化生长以便减小屏蔽效应（Figure 1a）。研究表明,AlN纳米锥的场发射性能随着Si掺杂而增强,随着Mg掺杂而下降（Figure 1b）,其原因是Si、Mg掺杂对AlN中电荷浓度和表面功函有不同影响^[4]。该研究表明掺杂是一种调控半导体材料场发射性能的有效途径。更多还原

【Abstract】 Patterned arrays of Si-or Mg-doped AlN nanocones were synthesized via chemical vapor deposition. The field emission properties of the AlN nanocones were enhanced with Si-doping but deteriorated with Mgdoping, which demonstrated the great potential of doping in tuning the properties of field emitters.更多还原