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Ge/Ge0.9Sn0.1/Ge量子阱的制备和表征

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【作者】 王楠； 丛慧； 薛春来； 王启明；

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室；

【摘要】 通过向Ge中引入Sn形成Ge1-xSnx合金,可以使其能带结构向直接带隙转变,且与CMOS工艺兼容,是实现硅基光源最具有可行性的方案之一,具有重要的科学研究价值。在本文中,我们使用MBE在Si（001）衬底上外延生长了10个周期的Ge/Ge0.9Sn0.1/Ge量子阱结构,测试表明材料具有良好的晶格质量,观测到了明显的直接带隙发光,其光致发光（PL）谱的峰值位置在2043 nm处,为进一步实现硅基激光器奠定了良好的材料基础。

  • 【会议录名称】 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
  • 【会议名称】第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
  • 【会议时间】2017-05-25
  • 【会议地点】中国福建厦门
  • 【分类号】O471.1
  • 【主办单位】厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
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