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稀土Gd掺杂N型Si80Ge20材料的热电性能

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【作者】 武伟名胡淑双吴荣归徐桂英

【机构】 北京科技大学特种陶瓷与粉末冶金研究所北京新能源材料重点实验室

【摘要】 <正>实验以Si粉、Ge粉、P粉、Gd粉为原料,在真空环境下合成Si80Ge20,采用放电等离子体快速烧结(SPS)方法烧结得到所需试样。研究了SPS烧结工艺对Si80Ge20样品显微结构和不同Gd掺杂对Si80Ge20的热电性能的影响。包括运用XRD,SEM方法对材料的物相成分和形貌进行了表征。通过直流四探针法测量其电导率,

  • 【会议录名称】 第十六届全国高技术陶瓷学术年会摘要集
  • 【会议名称】第十六届全国高技术陶瓷学术年会
  • 【会议时间】2010-10-22
  • 【会议地点】中国江西景德镇
  • 【分类号】TB34
  • 【主办单位】中国硅酸盐学会特种陶瓷分会
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