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多孔C泡沫预制体液相渗硅制备C/SiC复合材料研究
【机构】 国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室；
【摘要】 <正>本文以多孔C泡沫为预制体,采用酚醛树脂浸渍-裂解工艺对其进行了渗碳增密处理,考察了浸渍-裂解周期对C泡沫预制体密度的影响;最后,通过LSI工艺制备了C/SiC复合材料。采用各种分析方法,对制备的C/SiC复合材料的性能、组成和结构进行了表征。原始C泡沫预制体的密度为0.6g/cm~3、孔隙率
- 【会议录名称】 第十六届全国高技术陶瓷学术年会摘要集
- 【会议名称】第十六届全国高技术陶瓷学术年会
- 【会议时间】2010-10-22
- 【会议地点】中国江西景德镇
- 【分类号】TB332
- 【主办单位】中国硅酸盐学会特种陶瓷分会